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目 录
半导体物理试题………………………………………………… 1
材料力学试题…………………………………………………… 3
传感器试题…………………………………………………………………………6
传热学试题…………………………………………………………………………8
电子技术基础试题……………………………………………………………… 10
高分子物理和高分子化学试题………………………………………………… 15
工程流体力学试题……………………………………………………………… 18
工程热力学试题………………………………………………………………… 2 1
结构力学试卷…………………………………………………………………… 24
空气动力学试题………………………………………………………………… 29
理论力学试题…………………………………………………………………… 31
微机原理试题…………………………………………………………………… 36
信号与系统试题………………………………………………………………… 44
自动控制原理试题……………………………………………………………… 48
半导体物理试题
一、填充题 （每空格2 分，共40 分）
1．在半导体中的某些区域，晶体中的原子周期性排列被破坏，形成了各种缺陷。一
般地将缺陷分为 、 、和 三类。
2．V 族杂质在硅、锗中电离时能够施放电子并形成正电荷中心，称为 ；
III 族杂质在硅、锗中能够接受电子，形成负电荷中心，称为 。单
位体积中的杂质原子数称为 。
3．在硅和锗中，一般情况下主要散射是 散射和 散射，除此以外还
存在其它因素引起的散射如 散射、 散射和 散射等。
4．电子迁移率是单位电场下电子的 速度。在杂质浓度较低的样品中，迁
移率随温度增高而 ；当杂质浓度很高时，在低温范围，随温度升高迁
移率会 ，直到很高温度才 。
5．由两种不同的半导体单晶材料组成的结，则称为异质结。对于突变反型异质结的
电流传输机构已经提出了以下五种模型：1 ） 模型；2 ） 模型；
3 ） 模型；4 ） 模型；5 ） 模型。
二、问答计算题 （共 110 分）
1．简述理想P-N 结模型并推导其电流电压方程 （50 分）
2．什么是理想的MIS （金属- 绝缘层- 半导体）结构并简述和实际 （硅—二氧化硅
系统）的差别 （30 分）
3．已知硅突变结两边杂质浓度为NA= 1016 CM-3 ，ND= 1020CM-3 ，
①试从泊松方程推导出突变结的势垒宽度公式：
XD=[VD(2 εr ε0/q)(NA+ND)/NAND]0.5
1
②求势垒高度和势垒宽 （300K 时）
③画出| E （X ）| 及V （X ）图。
* 注 ：硅的介电常数为 εr= 11.9 ，真空介电常数为 ε0=8.854X 10-12F/m, 玻尔兹曼常
数为KO= 1.35X 10-23J/K 。（本题30 分）
2
材料力学试题
一、简答题 （本
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