存储器及扩展技术.doc

存储器及扩展技术 *计划学时：4学时 *重点、难点：存储器分类、供应状况；片选设计；存储器与MCU的时序配合；总线负载的核算 *方法、措施：（1）如何选择合适的芯片；（2）在PROTEL环境下实现原理图设计（要现场演示布置器件、连线的全过程）； *存储器分类： 按介质分：磁性存储器、半导体存储器、光存储器； 按与微处理器的关系：内存储器、外存储器。 内存储器的基本知识 *分类：按存取功能分为两大类—ROM（Read Only Memory）、RAM（Random Access Memory） 只读存储器ROM 特点 信息写入（借助编程器）后能长期保存，不会因掉电而丢失； 正常工作时，只能读出信息，而不能写入信息。 2．分类（按信息写入或擦除方式的不同） P100 （1）掩膜ROM：采用掩膜工艺写入信息（一次性），芯片厂家代为用户烧制，适于批量生产。 （2）可编程ROM（PROM）：PROM 芯片出厂时未写入信息，用户根据需要，使用编程器自行写入信息（一次性）。 （3）紫外线擦除可编程ROM（EPROM）：编程—利用编程器写入信息；擦除—利用紫外线擦除器（紫外线照射）使MOS电路复原（整片擦除）；再编程—重新写入信息。 （4）电擦除可编程ROM（EEPROM）：可在线擦除（不需附加设备），比EPROM 更优越。可整片擦除，也可字节擦除。 如同RAM，但价格较贵，擦写时间较长，次数受限（1~100万次）。 （5）快速擦写型存储器Flash Memory：价格低、集成度高、擦写速度快，但仅能整片擦除。 如ATMEL 公司 AT20、89系列单片机的片内ROM 即采用Flash Memory。 （6）OPTROM（一次编程型ROM）：编程方便，可靠性高，价格低。应用广泛。 二、随机存取存储器RAM 又称读写存储器，可随时读出或写入信息。 按存储电路的结构和特性分类： 静态RAM（SRAM—Static RAM） 静态RAM(SRAM)：基本存储单元为双稳态触发器，能可靠地保存信息。 动态RAM（DRAM—Dynamic RAM） 利用MOS管的栅极和源极之间的电容来保存信息，需刷新。 3．集成RAM（iRAM） 自带刷新电路的DRAM，如同SRAM。 4．非易失性RAM（NVRAM） 其存储体由SRAM和EEPROM两部分组成。正常读写时，SRAM工作；当要保存信息时（如电源掉电时），控制电路将SRAM的内容复制到EEPROM中保存起来。 三、存储器系统设计要点 P106 1．确定存储器的类型和容量； 保存信息的要求==》大类（RAM、ROM）==》具体类型 程序量和数据量==》容量（留有一定余量） 2．选择合适的存储器芯片 存取时间、功耗、货源、价格、芯片数量（负载、成本） 分配地址空间（编址方式） 设计片选逻辑 片选方式：线选、译码（全译码、局部译码） 5． 核查系统总线负载 6． 检验存储器存取速度。 第二节 程序存储器扩展 一、概述（需要、可用器件、对器件要求、选择器件、实现扩展） 1．外部程序存储器操作时序 S1 S2 S3 S4 S5 S6 ALE PSEN RD WR P2 PCH PCH PCH P0 指令 PCL 指令 PCL 由上图知，CPU读出指令的时间为1.5S P2、P0的作用 2．程序存储器扩展要点 （1）EA 信号的处理：对8031固定接地； （2）P0口必须连接锁存器（分时复用）； （3）ALE—地址锁存信号，PESN 读选通信号 （4）程序存储器一般选择EPROM芯片 二、扩展EPROM 1．EPROM芯片简介 P128 常用的EPROM芯片 27系列：2716—2K 2732—4K 2764—8K 27128—16K 27256—32K 27512—64K 注意：*容量、封装形式、读出时间（DIP、250ns） *编程电压（21V、12.5V） （图示） 锁存器简介 P129 带三态门的8D锁存器。 OC ：三态门输出控制端，为“0”，开通。 G ：锁存控制端（允许端），高通、低锁存 （图示） 扩展举例 *三总线的连接 *地址分布（芯片地址范围） （1）扩展4KB （画图） （2）扩展16KB （画图） 扩展64KB （画图） *常用译码芯片：74LS138（3/8）、74LS