非晶硅tft栅界面层氮化硅薄膜性能的研究.docVIP

　 非晶硅TFT 栅界面层氮化硅薄膜性能的研究 谢振宇3　龙春平　邓朝勇　林承武 (北京京东方光电科技有限公司　北京　100176 I nterfacial Structures and Properties of SiN Layer in a 2Si Thin Film Transistors X ie Zhenyu 3,Long Chunping ,Deng Chaoy ong and Lin Chengwu (Array Technology Department , BOE Optoelectronics Technology Co. , Ltd , Beijing 100176, China 　　Abstract 　Inter facial structures and properties of S iN layer in a 2S i thin film transistors (TFT were characterized with F ourier trans form in frared spectroscopy (FTIR ,and ellips ometry. The results show that high density of S i 2N bond or low density of S i 2H bond may widen the opti 2cal band gap and increase the relative dielectric constant. The S iN layer strongly affects the microstructures at the a 2S i :H/S iN x :Hinter face ,and thereby im proves TFT stability and its field effect m obility. 　　K eyw ords 　G ate interface ,A 2SiN x ∶H ,Optical band gap ,Dielectric constant ,On current 　　摘要　采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和Y AF 25000M 等测试仪器, 、光学性能、 物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。。结果表明:提高栅界面层N 2H 键含量(或减少S i 2H 键含量 界面性能, 提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。 关键词　栅界面层　氮化硅导通电流 中图分类号:TN30518:167227126(2007 042341205 　　近年来,a 2(thin film transistors , TFTs , 容易实现大面积制备和漏电流小等优点, 在有源矩阵驱动显示器件中发挥了重要作用。薄膜晶体管栅绝缘层要求具有优良的物理化学性能、光学性能和机械性能。淀积在玻璃基板上要求淀积温度低于500℃, 目前研究在柔性(塑料 基板生长薄膜, 甚至要求更低的淀积温度(150℃ 。氮化硅(SiN 薄膜作为一种重要的薄膜材料满足上述要求, 图1为a 2Si ∶H 薄膜晶体管结构示意图, 氮化硅薄膜在薄膜晶体管液晶显示(TFT 2LC D 有三方面的应用:(1 作为薄膜晶体管的栅绝缘层, 具有优良的绝缘性能, 高的场击穿强度和低的电子缺陷密度等优点[1]; (2 作为薄膜晶体管的钝化层, 具有介电常数高, 阻挡碱离子(如Na + 能力强, 质硬耐磨, 疏水性好, 针孔密度低等优点[2]; (3 作为栅界面层不仅具有良好的绝缘性能, 电子缺陷密度更低, 更重要的是能降低栅绝缘层和非晶硅层的界 面态, 优化薄膜晶体管性能[3] 。 图1　a 2S i :H薄膜晶体管双绝缘非晶氮化硅层结构示意图 Fig 11　Cross 2sectional view of an a 2S i ∶H TFT with the tw o layered gate insulator of a 2S iN x ∶H 射频等离子增强型化学气相淀积(RF 2PEC VD 技术是近年来极受重视的制备介质薄膜和半导体薄膜的先进工艺技术。它允许衬底保持在较低温 收稿日期:2006207212 3联系人:Tel E 2mail :zhenyuxie@126. com 1 43第27卷　第4期2007年7、8月　　　　　　　真　空　科　学　与　技　术　学　报 CHI NESE JOURNA L OF VAC UUM SCIE NCE AND TECH NO LOGY 　　　　　　　　　　　 (350℃以下 下大面积生长薄膜, 且淀积均匀性高, 阶梯覆盖性能以及工艺重复性好。由于栅绝缘层氮化硅薄膜与非晶硅薄膜间存在界面态