非晶硅太阳能电池i层厚度优化的数值模拟.docVIP

堡堕！Ｑ丝二塑堑 ＣＮＩｌ一２０３４／Ｔ 实验技术与管理 ＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ 第２４卷第１２期２００７年１２月 Ｖ０１．２４ Ｎｏ．１２ Ｄｅｅ．２００７ ａｎｄ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ 非晶硅太阳能电池ｉ层厚度 优化的数值模拟 姚若河，郑佳华 （华南理工大学物理科学与技术学院，广东广州 ５１０６４０） 摘要：应用ＡＭＰＳ一１Ｄ软件对非晶硅太阳能电池的－，一ｌ，特性进行了模拟研究，重点模拟分析了ｉ层厚度对Ｐ—ｉ－ｎ结构非晶硅太阳能电池特性参数的影响。关键词：太阳能电池；非晶硅；数值模拟中图分类号：ＴＰ３９ 文献标识码：Ｂ 文章编号：１００２－４９５６（２００７）１２－００６７－０２ Ｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆｉ—ｌａｙｅｒｓｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｏｎ ａ—Ｓｉ：ＨＰ—ｉ－ｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｄｅｖｉｃｅｓ ＹＡＯＲｕｏ—ｈｅ，ＺｈｅｎｇＪｉａ—ｈｕａ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅＡＭＰＳ一１Ｄ（ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄｐｈｏｔｏｎｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）ｗａｓ ｕｓｅｄ ｏｎ ｔｏ ｍｏｄｕｌｅｔｈｅｌｉｇｈｔＪ－Ｖ ｏｆａ—Ｓｉ：ＨＰ—ｉ－ｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｄｅｖｉｃｅｓ．Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｉ－ｌａｙｅｒｓｔｈｉｃｋｎｅｓｓｔｈｅｌｉｇｈｔＪ—Ｖｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓ— ｔｉｃｓｈａｖｅｂｅｅｎｅｘａｍｉｎｅｄ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｓｏｌａｒｃｅｌｌ；ａ—Ｓｉ：Ｈ；ｎｕｍｅｒｉｃＭｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ 太阳能是一种清洁、无污染、取之不尽用之不竭的自然能源，将太阳能转换为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础。半导体太阳能电池利用半导体的光生伏特效应直接将太阳能转化为电能，技术比较成熟。在硅系列电池中，由于非晶硅对阳光的吸收系数高，活性层只需１¨ｍ厚，材料的需求量大大减少；沉积温度低，可直接沉积在玻璃、不锈钢和塑料膜等廉价的衬底材料上；生产成本低，具有单片电池面积大、适于工业化大规模生产等优点而受到重视。 形成Ｐ—ｉ－ｎ结构。图１中，衬底为ｎ型非晶硅，顶层为Ｐ型的非晶ＳｉＣ材料，中间缓冲层为本征非晶硅，主要结构参数和模拟参数见表１。 图１Ｐ?ｉ－１１结构非晶硅太阳能电池结构示意图Ｐ－ｉ?ｎ结构非晶硅太阳能电池的模型参数 参数 Ｐ层（ａ＿ＳｉＣ） ｉ层（ａ－ｓｉ） １．８０１．７２４．００ １１．９ 表１ １模型结构与模拟原理 １．１器件结构 典型的非晶硅太阳能电池结构如图１所示。非晶硅中由于原子排列缺少结晶硅的规则性，缺陷多，因此，要在Ｐ层与ｎ层之间加入本征层ｉ层， 收稿日期：２００７—０２—２８ 作者简介：姚若河（１９６ｌ一），男，广东省揭阳市人。博士，教 授。从事半导体器件及物理的教学和科研工作． ｎ层（ａ＿Ｓｉ） １．８０ 迁移率带隙／ｅＶ光学带隙／ｅＶ电子亲和能／ｅＶ相对介电常数占 有效态密度Ｎｃ／（ｃｍ。３ｅＶ一）Ｎｖ／（ｃｍ一３ｅＶ一１） １．９６１．９０ ３．９２１１．９ １．７２４．００１１．９２．５×１０２０２．５×１０２０ ２．５Ｘ１０２０２．５×１０２０ ２．５×１０２０２．５×１０２０ 万方数据　 实验技术与管理 续表 参数 Ｐ层ｉ层ｎ层（ａ－ＳｉＣ） （ａ－Ｓｉ） （ａ－Ｓｉ） 电子迁移率ｐ。／（ｃｍ２Ｖ一１８—１）空穴迁移率Ｏ．５２ｌ ／．ｚ。／（ｃｍ２Ｖ一８—１）价带尾态特征能量迁移０．２ ０．０５０．０５ 率ＥＤ／ｅＶ 导带尾态特征能量迁移０．０７Ｏ．０３Ｏ．０３ 率Ｅ＾／ｅＶ掺杂浓度／ｃｍ ｑ Ｎ＾＝３×１０”ＮＤ＝１×１０１９Ｇｄｏ／（ｃｍ。３ｅＶ一１）１．０×１０１９１．０×１０１９１．０×１０１９Ｇ。／（ｃｍ一３ｅＶ一１） １．０×１０１９ １．０×１０１９ １．０×１０１９ ＥｏｏＮ／ｅＶ １．２４１．１２１．１２ＥＡｃｅ／ｅＶ １．１４ １．０２１．０２ 隙问定域态分：砟／／ｃｍ。３ ３×１０ＴＭ ５×１０１６ ３×１０Ｉｓ １．２模拟原理 模拟在态密度（ＤＯＳ）模式下进行。对于非晶硅来说，带尾定域态相当重要，使用指数函数来模拟，用高斯分布来描述非晶硅的悬挂键。对Ｐ—ｉ—ｎ结构非晶硅太阳能电池，若给出各层半导体材料的能带结构、电子态密度分布、空穴态密度分布和电子亲和能等，根据半导体器件３个基本方程：泊松方程，电子连续性方程和空穴连续性方程，在适当的边界条件下即可求解出器件的特性。 泊松方程把材料体系中的自由载流子数目，受陷电子和受陷空穴数目，离化杂质数目等和静电场联系起来。泊松方程表示为 期占（茗）警］＝ｑ×［ｐ（髫）一ｎ（石）＋