非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析.docVIP

第51卷第4期2002年4月100023290Π2002Π51(04)Π0863204 物　理　学　报 ACTAPHYSICASINICA Vol.51,No.4,April,2002 ν2002Chin.Phys.Soc. 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 林揆训　林璇英　梁厚蕴　池凌飞　余楚迎　黄创君 (汕头大学物理系,汕头　515063) (2001年4月7日收到;2001年9293 　　500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,;℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为;,其平均晶粒尺寸约为μ115m. 关键词:,多晶硅薄膜,非晶硅薄膜 PACC:6470K,6822,8130 会明显的加快晶化的进程,缩短晶化时间.但通常 11引言 都不短于30min [15,16] . 本文报道了在蒸镀了一层铝膜的廉价玻璃衬底 与非晶硅薄膜比较,多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能,是制备微电子集成电路、彩色电视和计算机终端等大面积平面显示的驱动电路以及薄膜太阳能电池的优质材料 [1,2] 上高速生长的非晶硅薄膜,分别在500,550和600℃温度下退火10min,当退火温度为600℃时,几乎完全晶化为多晶硅薄膜.在这么低的退火温度和这么短的退火时间内薄膜的组分结构、形貌结构、晶粒大小和晶化率就成为普遍关注的问题,也是本文所要分析和讨论的重点. .用高氢稀释 的硅烷射频辉光放电等离子体化学气相沉积工艺可以制备多晶硅薄膜,但沉积速率太低,不适用于规模性生产.对非晶硅薄膜进行激光照射或热退火等后处理工艺是制备多晶硅薄膜的重要方法.激光照射所制备的多晶硅薄膜具有低的缺隙态密度.但是,由于激光束的束斑小,难于制备大面积的多晶硅 [3—6] 薄膜;热退火固相晶化(SPC)所制备的多晶硅薄膜均匀性好,具有比较光滑的表面结构,可以做成大面积.但退火温度比较高,通常在600—700℃,退火时间为几个至几十小时 [7—10] 21非晶硅薄膜及其固相晶化实验 在电容式等离子体化学气相沉积装置上,采用纯硅烷射频辉光放电,以1nms的速率分别在玻璃衬底和覆盖了铝膜的玻璃衬底上沉积了不同厚度的非晶硅薄膜.沉积薄膜的工艺参量为,反应室中硅烷气体的压强和流量分别为50Pa和30cmΠmin,射频 3 -2 (13156MHz)放电的功率流通量为100mW?cm,衬 -1 ,对衬底性 能的要求和制膜的成本都比较高.因此,降低退火温度、缩短退火时间是低成本地制备优质多晶硅薄膜的关键性问题. 由于金属与硅的界面具有低的共熔点温度,例如硅铝合金的共熔点为557℃,或在界面处形成亚稳态的金属硅化物,从而可以大幅度地降低非晶硅薄膜的固相晶化温度 [11—14] μ底温度为250℃.膜厚分别为018,115和3m,由控制沉积时间来调节.铝膜用热蒸发法制备,厚度分别 μ为015,018和112m.由此组成了9种不同厚度组合结构的a2SiΠAlΠ玻璃样品和3种a2SiΠ玻璃样品. 所制备的样品分别置于管式加热炉的石英管中,在115×1101325×10Pa压强的氮气氛保护下分别在500,550和600℃温度下退火10min.为有效地 5 .据文献报道,硅铝界面 在150—200℃就出现了固相晶化现象.温度的上升 3 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028208)资助的课题. 864物　　理　　学　　报51卷 控制退火时间,先使加热炉中的石英管加热到所需的退火温度,再把样品推进石英管中退火10min 后,把石英管拉出加热炉外,并加大氮气压强到2× 5 1101325×10Pa,使样品迅速降温到100℃以下. 的X射线衍射谱中铝的晶相峰为何如此微弱,仍有待对样品作进一步的剖面测试和分析 . 31薄膜的组分与形貌结构分析 用X射线衍射仪,喇曼谱仪和扫描电子显微镜分别测试了样品的X射线衍射谱,.析研究表明,1)SiΠ,而所有a2SiΠ.显然,在这么低的退火温度和这么短的退火时间内,非晶硅薄膜的组分结构、形貌结构的变化都是在铝的诱导下发生的.2)在相同的退火温度下,不同厚度组合结构的a2SiΠAlΠ玻璃样品薄膜结构的变化未见所有不同,下 文分析a2SiΠAlΠ玻璃样品薄膜结构随退火温度的变化. 3111X射线衍射谱 通过X射线衍射谱可以分析非晶态薄膜的固 [17,18] 相晶化过程.图1(a)为高纯(991999%)铝粉的X射线衍射谱.图1(b),(c)和(d)分别为a2SiΠAlΠ玻 图1　X射线衍射谱　(a)为相应于纯的Al粉;(b),(c)和(d)分别为相应于在500,550,600℃退火10min的样品 璃样品在500,550和600℃温度下退火10min后的X射线衍射谱图.图1(b)显示,退火温度Ta=500℃