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第八章　光电式传感器 光电器件 光电效应 外光电效应 内光电效应 光敏二极管、光敏晶体管 光电池 CCD 光电传感器的应用 光电效应 外光电效应 光子，光子能量；光电子 外光电效应是指在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。 内光电效应 在光线作用下，物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应 光电导效应：光敏电阻、光敏二极管（晶体管） 光生伏特效应：光电池 光电效应 光敏电阻 无光照时，光敏电阻阻值很大，电路中电流很小；当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值急剧减小，电路中电流迅速增大。 光敏二极管、光敏晶体管 光敏二极管 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态 暗电流、光电流（光照越强，光电流？） 光敏三极管 基极无引出线，集电极相对于发射极为正电压 当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 从而形成光电流, 相当于三极管的基极电流。因此集电极电流是光生电流的β倍, 所以光敏晶体管有放大作用。 硅：敏感可见光，可用来探测可见光或赤热状态物体 　锗：敏感红外光，可用于红外光探测 光电池 一个大面积的PN节，光照下产生的电子－空穴对向两级扩散，形成与光照强度有关的电动势。 光电耦合器件 光电耦合器 光电开关 CCD（电荷耦合器件） 结构：MOS电容器→光敏元或像素；MOS阵列→CCD器件　 原理： 光电传感器的应用 光纤传感器