CMOS模拟集成电路设计-电流镜.ppt

电流镜 电流镜 模拟CMOS集成电路设计 第 5 章 电 流 镜 电 流 源 AIC中经常需要电流源 对电流源的要求 电流值能由设计者方便地设定在某一期望值，并且电流值的偏差能被控制在一定范围内（不随工艺、电源、温度变化） 如何实现易设定、精确、稳定？ 怎样偏置M2？ 基于电阻分压的电流源 VDD的变化会直接影响电流的大小。而且阈值电压工艺上存在偏差（可达100mV），如过饱和电压VOV取典型值200mV，则若VTH改变50mV，则IOUT改变44％！ 电流值对工艺、电源、温度等变化敏感， 无法精确、稳定，很难实用 基于基准电流的电流源 IREF 基准电流 由专门的电路来产生，如带隙基准源（第11章），基准电流的电流值精确、稳定（对PVT不敏感） 比例复制IREF到需要的地方，产生所需电流 复制方法是先把IREF转换为电压，再由该电压转换为电流 电流镜 基本电流镜－比例复制 若IREF精准、稳定，并合理设计M1管和M2管的尺寸和位置，使它们的VTH、?n、COX等工艺参数匹配度高、W/L比值在一定精度内，则可获得精确并且稳定的Iout 沟道长度调制效应使得电流镜存在误差 共源共栅电流镜 为了抑制沟调效应的影响， 可以采用共源共栅结构。 共源共栅电流镜消耗了电压余度 忽略衬偏效应且假设所有晶体管都是相同的，则 P点所允许的最小电压值等于 VP = 比较于 余度损耗的共源共栅电流镜 最小余度损耗的共源共栅电流源 低压工作（大输出摆幅）的共源共栅电流镜 Vb由额外的偏置电路产生，Vb应稍稍大于VGS2+(VGS1-VTH1) （设计中留出余量以确保M1和M2处于饱和区） 有源电流镜 不损失增益的情况下实现单端输出 电流源负载的差动对 电流镜负载的差动对 如果单端输出增益则降低一半 Vin1-Vin2足够负时，M1、M3和M4均关断， M2和M5工作在深线性区， Vout=0 随Vin1-Vin2增长，M1开始导通，使ID5的一部分流经M3，M4开启，Vout增长 当Vin1和Vin2相当时，M1和M2都处于饱和区，产生一个高增益区 当Vin1-Vin2变得更正时，ID1↑，|ID3|↑， |ID4|↑，ID2 ↓，Vout继续增加 当Vin1-Vin2足够正时，M2关断，M4的电流为 零且处于深线性区，Vout＝VDD 大信号分析 虽然不对称，仍然使用虚地的假设，大大简化了计算和理解 小信号分析 小信号分析 P点其实并不是理想的交流地 从Vin到VX和VY的增益差别很大， VX和VY的摆幅差别很大，使得VX和VY对VP的作用(通过ro1，ro2）不能互相抵消 那么怎样求增益Av ？ 教材上给出了两种方法： 方法一： 求出等效跨导Gm和输出电阻Rout， 得到Av 方法二： 用戴维南定理等效输入信号后计算 从这两种方法得出的结果来看，和我们之前把P点当作交流地计算的结果是一样的！也就是说，从方便理解和计算的角度出发，P点仍然可以看成交流地！ 方法一：Gm的计算 求Gm：将输出端接地，计算 iout/vin 当输出端接地时，P点可看作交流地（因为左边波动较小，右边是零） 方法一：Rout的计算 方法二：戴文宁等效 * * * * * 电流镜 电流镜 * * * * *