EBSD技术入门简介.ppt

*/93 2008年1月10日 1. 晶体学及织构基础 2. 工程材料的织构控制 3. EBSD的原理及应用 4. EBSD数据处理演示 */93 2008年1月10日 材料微观分析的三要素：形貌、成分、晶体结构 成分： 化学分析、 扫描电镜中的能谱或电子探针、 透射电镜中的能谱、能量损失谱 晶体结构： X－光衍射或中子衍射 扫描电镜中的EBSD 透射电镜中的电子衍射 是近十年来材料微观分析技术最重要的发展 */93 2008年1月10日 什么是EBSD技术？ Electron Back-Scattered Pattern Electron Back-Scattered Diffraction 电子背反射衍射技术简称EBSP或EBSD 装配在SEM上使用，一种显微表征技术 通过自动标定背散射衍射花样，测定大块样品表面（通常矩形区域内）的晶体微区取向 */93 2008年1月10日 EBSD set up */93 2008年1月10日 EBSPs的产生条件 固体材料，且具有一定的微观结构特征——晶体 电子束下无损坏变质 金属、矿物、陶瓷 导体、半导体、绝缘体 试样表面平整，无制样引入的应变层——10’s nm 足够强度的束流——0.5-10nA 高灵敏度CCD相机 样品倾斜至一定角度(~70度) 样品 极 靴 CCD相机 荧光屏 */93 2008年1月10日 EBSPs 的产生原理 电子束轰击至样品表面 电子撞击晶体中原子产生散射，这些散射电子由于撞击的晶面类型(指数、原子密度)不同在某些特定角度产生衍射效应，在空间产生衍射圆锥。几乎所有晶面都会形成各自的衍射圆锥，并向空间无限发散 用荧光屏平面去截取这样一个个无限发散的衍射圆锥，就得到了一系列的菊池带。而截取菊池带的数量和宽度，与荧光屏大小和荧光屏距样品(衍射源)的远近有关 荧光屏获取的电子信号被后面的高灵敏度CCD相机采集转换并显示出来 */93 2008年1月10日 硅样品晶面电子衍射菊池线示意图 */93 2008年1月10日 典型的EBSP花样 硅钢某一点的EBSP花样 硅钢某点的标定结果 */93 2008年1月10日 不同晶体取向对应不同的菊池花样 通过分析EBSP花样我们可以反过来推出电子束照射点的晶体学取向 (100) (100) (110) (111) */93 2008年1月10日 EBSD如何工作? */93 2008年1月10日 图像处理及菊池带识别 采集花样 与数据库进行相及取向的对比 校对并给出标定结果 输出相及取向结果 一个完整的标定过程 取点 */93 2008年1月10日 多点自动标定过程 Collected EBSP ( +/- EDS data) Indexed EBSP Phase and orientation Detect bands Move beam or stage Save data to file Maximum cycle time currently 100 cycles/sec (sample/conditions dependent) */93 2008年1月10日 极 图 晶面法线投影到球上，在投影到赤道面上 两种投影方法：上半球投影法和等面积投影法。 {001}极图的示意图 极图：某一特定{hkl}晶面在样品坐标系下的极射赤面投影。主要用来描述板织构{hkl}uvw。 */93 2008年1月10日 反 极 图 先将样品坐标轴投影到球上，再投影到赤道面上 常用：上半球投影法和立体投影法。 With cubic crystal symmetry, all possible orientations of a single direction can be displayed in a “triangle” (left) defined by projections of the 001, 101 and 111 directions of an {001}100 cube (above) 反极图：样品坐标系在晶体坐标系中的投影。 一般描述丝织构。 */93 2008年1月10日 （3）取向分布函数图ODF。用于精确表示织构。 取向分布函数图 */93 2008年1月10日 立方取向的{100}、{110}、{111}极图 例如：铜型织构{111}11-2反极图 织构的表示方法-例子 */93 2008年1月10日 Brass Copper S Cube Goss */93 2008年1月10日 织构的等价形式 {hkl}uvw 晶体对称性：24种形式 样品对称性：4种 {hkl}uvw