模拟电子技术1至4章小结半导体器件.pdf

《模拟电子技术》1 至4 章小结 前面五章的内容结构非常明确，第一章介绍构成电子线路的半导体器件，第二章是由基本元器件、三 极管和场效应管构成的基本放大电路来实现信号的放大功能，第三章为基本放大电路级联而成的多级放大 电路。第二、三章的内容是来构成分立电路，而第四章内容就涉及到了集成电路（把分立电路集成到一片 硅片上，利用一个集成芯片来构成具有一定功能的集成电路）。前面四章的内容都不考虑电路性能与输入 信号频率之间的关系，第五章内容即为电路的频率响应问题（放大电路的性能如何受到输入信号频率的影 响）。 内容结构： 连接组成 改善性能 集成 考虑电抗影响 半导体器件 基本放大电路 多级放大电路 集成运放 频率响应 第一章 半导体器件 掌握： 1、半导体的基础知识； 2 、二极管、三极管、场效应管的工作原理、特性曲线和主要参数； 3、二极管电路基本分析方法和应用 一、半导体 1）种类：本征半导体和杂质半导体（P 型、N 型）。什么是本征半导体？什么是杂质半导体？ 2 ）半导体结构：内部存在自由电子（带负电荷）和空穴（带正电荷）两种载流子。（为什么会产生？）  本征半导体 自由电子、空穴  P 型半导体 自由电子、空穴、受主原子 原因？如何形成？浓度关系？  N 型半导体 自由电子、空穴、施主原子 如何区分三种半导体？ 3 ）半导体电流：扩散电流和漂移电流（产生的机理？）。扩散电流是半导体特有的一种电流。 4 ）半导体特性：1）掺杂性。 掺入杂质可改变半导体的导电性能。（如何改变？） 2 ）温度敏感性。温度或光照改变会影响半导体的导电性能。（如何影响？） 5 ）半导体材料：硅（Si）、锗（Ge ）、砷化镓（GaAs ） 二、PN 结（结构？如何形成？特性？） 1）结构 （将P 型半导体和N 型半导体背靠背紧密排列，就可以形成PN 结）  为什么会形成空间电荷区？  空间电荷区中的电流关系？  空间电荷区存在电位差，称为内建电位差。  空间电荷区宽度（当P 型半导体和N 型半导体掺杂浓度不一样时，会出现什么情况？）  对称PN 结和不对称PN 结？  三种PN 结：突变结、超突变结、缓变结 P 型半导体 N 型半导体 P 区( 中性区) N 区(中性区) 电 中 空间电荷区 性 负 正 离 耗尽层 离 子 阻挡层 子 区 区 势垒区 2 ）特性  伏安特性—单向导电性（正向导通、反向截止）。什么是正向偏置？什么是反向偏置？ 在正向偏置下，空间电荷区如何变化？ 在反向偏置下，空间电荷区又如何变化？