《数字电子技术基础》第五版阎石门电路2.pptVIP

栅源电压VGS的控制作用 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至 VGS VGS (th)（MOS管开启电压）,衬底中少数载流子电子聚集到栅极下面， D-S间形成导电沟道。 说明： 随着VGS的升高，导电沟道的截面积也增大，iD增加。即可以通过改变VGS控制iD的大小，因此称为电压控制。 开关指的是D-S之间的开关 上述MOS管，导电沟道属于N型，且在足够高的栅极电压才有导电沟道形成，称为N沟道增强型MOS管。 二、MOS管的输入和输出特性 1.输入特性 栅极和衬底间被二氧化硅绝缘层隔离，在栅极和源极之间加上电压后，不会有栅极电流流通，可以认为栅极电流为0. 2. 输出特性 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0 恒流区： iD 基本上由VGS决定 可变电阻区：当VDS 较低， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 （虚线左边，每一个斜线的斜率） 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 OFF ，截止状态 ON，导通状态 五、MOS管的四种类型 1.N沟道增强型 P型衬底，导电沟道为N型， VGS (th)为正值，工作时使用正电源 D-S间为虚线 衬底B上的箭头指向MOS管内部 G靠近源极一段 2.P沟道增强型 N型衬底，导电沟道为P型， VGS (th)为负值，工作时使用负电源 衬底B上的箭头指向MOS管外侧 其它与N沟道增强型相同 3.N沟道耗尽型 P型衬底，导电沟道为N型 栅极下面的二氧化硅材料中掺进了一定浓度的正离子，吸引衬底的电子到栅极下面形成导电沟道，因此VGS=0时就有电流存在了。 VGS为正时，导电沟道变宽，iD增大 VGS为负时，导电沟道变窄，iD减小 VGSVGS (off)（夹断电压）时，导电沟道消失 D-S间为实线，其他部分画法与N沟道增强型相同 4.P沟道耗尽型 N型衬底，导电沟道为P型 VGS=0时已经有导电沟道存在了 VGS为负时，导电沟道变宽，|iD|增大 VGS为正时，导电沟道变窄，|iD|减小 VGSVGS (off)（夹断电压）时，导电沟道消失 D-S间为实线，其它部分画法与P沟道增强型相同 3.4.2 CMOS反相器 一、电路结构 T1和T2总是一管导通而另一管截止，因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。 二、电压、电流传输特性 1.电压传输特性 2.电流传输特性 3.4.3 其它类型的CMOS电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2.或非门 二、漏极开路门（OD-Open Drain） 与TTL门类似，普通CMOS门也存在：输出电平不能变换、无法实现线与、负载能力不够强的问题。 漏极开路门可以解决上述问题。 OD门在使用时，与OC门类似，漏极也要接上拉电阻和电源。 OD门实现线与 “线与”结构可以减少门电路的个数 OD门实现电平变换 三、CMOS传输门（一种基本单元电路） 如上所述，构成了从输入到输出的一个传输门。 另外，由于T1，T2对称，因此输入和输出也可以互易使用。 CMOS传输门的使用 利用CMOS传输门和CMOS反向器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如异或门（课本P98）、寄存器、计数器等。 可以做模拟开关，传输连续变化的模拟电压信号，这是无法用一般的逻辑门实现的。 四、CMOS三态输出门 CMOS三态门的应用 自学内容 门电路使用注意事项 接口问题 闲置端的处理 各系列门电路 其它类型门电路 总结 　门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元，掌握各种门电路的逻辑功能和电气特性，对于正确使用数字集成电路是十分必要的。 　本章介绍了目前应用最广泛的TTL和CMOS两类集成逻辑门电路。在学习这些集成电路时，应把重点放在它们的外部特性上。外部特性包含两个内容， 一个是输出与输入间的逻辑关系，即所谓逻辑功能； 另一个是外部的电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性等。 本章也讲一些集成电路内部结构和工作原理，但目的是帮助读者加深对器件外特性的理解，以便更好地利用这些器件。 第3章 门电路 3.1 概述 3.2 分立元件门电路 3.3 TTL门电路 3.4 CMOS门电路 3. 输入特性 　　(1) 输入短路电流IIS（输入低电平电流） 　　当uIL = 0V时，由输入端流出的电流 IIS =－(VCC－UBE1)/R1 =－(5－0.7)/4 ≈－1.1mA (2) 输入漏电流IIH （输入高电平电流） 当输入为高电平时， iI = IIH IIH很小，一般小于40μA。 前级驱动门导通时