单极型三极管.pptVIP

MOS场效应管的特点： 1.制造工艺简单、占用芯片面积小、特性便于控制。 * 2.2　单极型半导体 三极管 引　言 2.2.2 结型场效应管 2.2.3 场效应管的主要参数 2.2.1 MOS 场效应管 第 2 章　半导体三极管 引 言 单极型三极管又叫场效应管 FET (Field Effect Transistor) 场效应管特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电) 3. 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、寿命长。 2. 输入电阻高(107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 第 2 章　半导体三极管 场效应管的分类： 1.结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor) 2.金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET) 2.成品率高、成本低、功耗小。 3.广泛应用在大规模和超大规模集成电路的制造。 MOS场效应管的分类： 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型 N沟道 P沟道 第 2 章　半导体三极管 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 2.2.1 MOS 场效应管 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B MOSFET结构 第 2 章　半导体三极管 衬底引线B（在管中已与S相连） G与D、S之间无电接触故叫绝缘栅极 衬底B的箭头表示PN结加正偏时的电流方向 2. 工作原理和转移特性曲线 1)工作原理 uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 UGS UGS(th)(开启电压)时，GP 间的垂直电场吸引 P 区中电子而排斥空穴，少子电子在衬底表面形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS ? UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 第 2 章　半导体三极管 D、S加正电压，形成S到D的电子运动，形成漏电流（在N型导电沟道中) UGS(th)(开启电压)是形成N型导电沟道的栅源电压 2 4 6 4 3 2 1 uGS /V iD /mA UDS = 10 V UGS (th) 当 uGS UGS(th) 时，增强型N沟道MOS场效应管的转移特性的近似表达式 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 开启电压 O 当DS 间加的正向电位UDS足够大时，iD将随UGS的大小而变。形成的转移特性曲线如右图 1、 uGS≤ U GS(th)没有导电沟道，iD＝0。 2、 uGS＞U GS(th)形成导电沟道，产生iD 3、 uGS增大，反型层变厚，沟道电阻减小 iD跟随增加。 4、 uDS uGS－U GS(th)后，uDS对iD的 影响可忽略，转移特性曲线基本重合 2） 转移特性曲线 第 2 章　半导体三极管 1) uDS 对沟道的影响(uGS UGS(th)) 预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS? iD?。 预夹断发生之后：uDS? iD 不变。 MOS工作原理 第 2 章　半导体三极管 3. 输出特性曲线－描述以uGS为参变量时iD与uDS之间的关系曲线 1、 uDS增加，使靠近漏极端的沟道厚度变薄。 uDS较小时，沟道变化不大基本均匀，沟道电阻基本固定。 iD随uDS的增加而线性增加。 2、 uDS增加到uDS≥ UGS －UGS(th)时，漏极附近的反型层消失（沟道夹断）。 3、 uDS继续增加，夹断点向源极扩展。 4、沟道夹断后，iD几乎不随uDS变化而趋于饱和。 2）输出特性曲线 1、可变电阻区（非饱和区）：uDS较小时， uDS uGS ? UGS(th)。当uGS一定时，iD与uDS成线性关系，uDS?? iD ?。直到预夹断 直线斜率受uGS的控制。 2、饱和(放大区)：UDSuGS ?U GS(th)。曲线近似为一族平行于uDS轴的直线，iD仅受uGS的控制而与uDS基本无关。 uDS?，iD 不变 3、截止区：uGS ? UGS(th) ，全夹断 ，沟道消失，iD = 0 ，管子处于截止状态。 iD /mA uDS /V uGS = 2 V 4 V 6 V 8 V 截止区 饱和区 可 变 电 阻 区 恒流区