西安交通大学_微电子制造技术_第十三章.pptVIP

随着电路密度和关键尺寸的不断缩小，为了将亚微米线宽的图形转移到硅片表面，光刻胶必须具备如下特性： 更好的图形清晰度 (分辨率) 对硅片表面更好的黏附性 更好的均匀性 工艺宽容度高 (对工艺可变量敏感度降低) 光刻胶的类型 普通光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。这种分类是基于光刻胶材料对紫外光的响应特性。 对于负性光刻胶，经紫外光曝光后发生交联反应并会硬化，使原来可以被显影液溶解的成分变得不可溶解。显影后与掩膜版相反的图形留在光刻胶上。 对于正性光刻胶，经紫外光曝光后的区域经历了一种光化学反应，使原来难以被显影液溶解的特性变得可溶解。显影后与掩膜版相同的图形留在光刻胶上。 也可以依据光刻胶所形成的最小关键尺寸来给光刻胶分类。一类是能形成线宽尺寸在0.35μm及其以上的传统光刻胶。另一类是适用于深紫外(DUV)波长的化学放大光刻胶。 正负光刻胶的对比 负性光刻胶因具有与硅片良好的黏附性能和对刻蚀良好的阻挡作用，在20世纪70年代被广泛使用。然而，由于显影时的变形和膨胀，通常只能有2μm的分辨率。随着集成度的提高和关键尺寸的不断减小，负性光刻胶被正性光刻胶所取代。但正性光刻胶的黏附性能较负性光刻胶差。 要在硅片上得到相同图案，使用不同极性的光刻胶所对应的掩膜版（亮、暗场转换）是不同的。这种变化不仅仅是改变掩膜版的明暗场，因为两种不同的光刻胶其复印掩膜尺寸是不同的。主要原因是图形周围光的散射（衍射）。所以掩膜版不仅是明暗场的简单转化，必须考虑该因素而进行重新设计。 光刻胶的物理特性 在芯片制造工艺中，可能会用到许多类型的光刻胶。每一种都应该具备其与光刻工艺要求直接相关的自身物理特性。一种专用的光刻胶应该具备以下物理特性 分辨率 对比度 敏感度 粘滞性 粘附性 抗蚀性 表面张力 沾污和颗粒 分辨率：硅片上形成符合质量规范要求的最小特征图形的能力，形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率能力就越高。 对比度：是指光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度（见图13.16）。 差的光刻胶对比度 斜坡墙 膨胀 Resist Film 好的光刻胶对比度 陡直墙 无膨胀 Resist Film Figure 13.16 敏感度 是指硅片表面光刻胶中产生一个良好图形所需要的一定波长光的最小能量值（以mJ/cm2为单位）。提供给光刻胶的光能量值通常称为曝光量。 粘滞性 粘滞性是指对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标。粘滞性越高流动性越差。粘滞性越高越有利于台阶覆盖，但间隙填充能力就越差。 粘附性 黏附性是指光刻胶附着于衬底的强渡。粘附性的不足会导致硅片表面上的图形变形。要求必须经受曝光、显影和刻蚀等工艺的考验。 抗蚀性 光刻胶在后续的湿法刻蚀和干法刻蚀中必须有效保护光刻胶下的衬底表面不受刻蚀的影响。这种性质称为光刻胶的抗蚀性。 表面张力 指的是液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力（见下图）。 小分子力引起小的表面张力 大分子引起大的表面张力 Figure 13.17 表面张力 光刻胶的成分 添加剂: 控制光刻胶材料特殊方面的化学物质，用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光响应特性。 溶剂: 使光刻胶具有流动性，易挥发，对于光刻胶的化学性质几乎没有影响。 感光剂: 光刻胶材料中的光敏成分，对光能发生光化学反应 树脂: 惰性的聚合物 ，用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂，给予光刻胶其机械和化学性质。 Figure 13.18 被曝光的区域发生交联，并变成阻止显影的化学物质 未曝光的区域保留可溶于显影液的化学物质 曝光前负性光刻胶 曝光后负性光刻胶 显影后的光刻胶 UV Oxide Photoresist Substrate 交联 未被曝光 曝光 可溶 Figure 13.19 负性光刻胶交联 被曝光的光刻胶溶于显影液 未被曝光的光刻胶，包含PAC,保持交联并不溶于显影液 曝光前正性光刻胶 曝光后正性光刻胶 显影后正性光刻胶 UV Oxide Photoresist Substrate 可溶的光刻胶 曝光 未被曝光 PAC Figure 13.20 在正性 I 线光刻胶中作为溶解抑制剂的 PAC 正性I线光刻胶良好的对比特性 正胶的一大优点是在光刻胶的未曝光区域不受显影液的影响，因为光刻胶最初就不溶解，并保持这种性质。这样在光刻过程中转移到光刻胶上的极细线条的图形会保持线宽和形状，产生良好的线宽分辨率。 正胶具有好的分辨率的原因之一是对比度高。正胶可以更好地分辩掩膜版的亮区和暗区，在光刻胶上产生陡直的转移图形（见下