半导体物理与器件4.pptVIP

4.5.2平衡电子和空穴浓度 正负电荷密度相等即电中性条件： n0+N-a=p0+Nd+ n0+(Na-pa)=p0+(Nd-nd) 假设完全电离： nd 和pa均为零， 则 n0+Na=p0+Nd 4.6 费米能级的位置 4.6.1数学推导 4.6.2 EF随掺杂浓度和温度的变化 4.6.2 费米能级的应用 作业 P106 4.4 P107 4.21 P108 4.33 P109 4.51, 4.56 第四章 平衡半导体 平衡半导体（The Semiconductor in Equilibrium)是指半导体处于平衡状态或热平衡状态，是指没有外界影响（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用于半导体上的状态。 本征半导体(Intrinsic Semiconductor)是指没有杂质原子和晶体结构缺陷的纯净半导体。 非本征半导体(Extrinsic Semiconductor)是指进行了定量施主(Donor)或受主(Acceptor)掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子(Majority Carrier)电子（n-type）或多数载流子空穴（p-type）的半导体。 4.1半导体中的载流子 4.1.1电子和空穴的平衡分布 导带电子分布 价带空穴分布 4.1.2 n0方程和P0方程 导带电子 定义导带有效状态密度 价带空穴 定义价带有效状态密度 4.1.3 本征载流子浓度 EFi本征费米能级 ni本征载流子浓度 ni2=n0p0 4.1.3本征费米能级位置 本征半导体 n0=p0 4.1.3本征费米能级位置 4.2掺杂原子与能级 掺杂半导体称为非本征半导体 施主donor杂质 施主donor杂质原子：杂质原子向导带提供了电子 ； N型半导体：由于施主杂质原子增加导带电子并不产生价带空穴； 由于N型半导体中电子浓度大于空穴浓度，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 受主acceptor杂质 受主acceptor杂质原子：杂质原子从价带获得电子 ； P型半导体：由于受主杂质原子在价带产生空穴，但不在导带产生电子； 由于P型半导体中空穴浓度大于电子浓度，空穴称为多数载流子，电子称为少数载流子。 4.2.2 电离能 静电力与离心力平衡 角动量量子化 波尔半径 M*电导有效质量 见刘恩科第四版P95 r1约为硅晶格常数四倍 4.2.2 电离能 4.3非本征Extrinsic半导体 4.3.1 电子和空穴的平衡状态分布 4.3.1 电子和空穴的平衡状态分布 4.3.2 n0和p0的乘积 4.3.4 简并与非简并半导体 非简并Nondegenerate半导体：杂质原子在n型半导体中引入分立的、无相互作用的施主能级，而在p型半导体中引入分立的、无相互作用的受主能级； n型简并半导体：导带中的电子浓度超过了状态密度Nc时，费米能级位于导带内部；并不产生价带空穴； p型简并半导体：价带中的空穴浓度超过了状态密度Nv时，费米能级位于价带内部； 4.4 施主和受主的统计分布 电子占据施主能级的概率函数： 4.4.1概率分布函数 Pd空穴占据受主能级的密度， Ed受主能级的能量，g简并因子 nd电子占据施主能级的密度， Ed施主能级的能量 4.4.2 完全电离和束缚态（Complete Ionization and Freeze-out） 导带电子： 4.4.2 完全电离和束缚态（Complete Ionization and Freeze-out） 完全电离 4.4.2 完全电离和束缚态（Complete Ionization and Freeze-out） 在室温下，施主能级基本上处于完全电离状态 ；受主原子也基本上处于完全电离状态。 4.4.2 完全电离和束缚态（Complete Ionization and Freeze-out） 在T=0K下，没有电子从施主能级热激发到导带，这种现象称为束缚态 ；没有电子从价带跃迁到受主能级，这种现象也称为束缚态。 4.5 电中性状态(Charge Neutrality) 补偿半导体：是指在同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体。 NdNa，n型补偿半导体； Na Nd ，p型补偿半导体； Na = Nd ，完全补偿半导体。 4.5.1补偿半导体(Compensated Semiconductors) 4.5.2平衡电子和空穴浓度