第3章MOSFET讲义与作业.PDFVIP

第 3 章 MOSFET 講義與作業 一、MOSFET 何謂場效： 經由外加垂直半導體表面的電場來調變半導體的傳導性或電流 重要性 70 年代實現，比起 BJT ，可以做的很小 數位電路可以只含 MOSFET ，不用電阻及二極體，所以可以製成高密 度 VLSI 引發第二次電子革命，使高密度 VLSI 可行 金屬-氧化物-半導體(MOS) 結構(MOSFET) 金屬：鋁或其他金屬，很多是用高導的多晶矽 氧化層：厚度 tox ，介電常數εox N-MOS P-MOS n-MOSFET 臨界電壓 V 的含意：可看成 D-G 所形成之電位障(V -V )，VGD 恰抵 TN D G 銷此電位障，則剛好通與不通之間 1. VDS 與 IDS 的關係如同一個線性電阻 2. 增加 VDS 即 D 極電壓增加 3. VDS 增加至飽和電壓 vDS(sat)= vGS-VTN iD 對 vDS