栅和体电流模型.pptVIP

* 栅电流产生机制（2） 沟道热电子到达栅极条件 热电子必须能够从沟道电场中获得足够的动能（大于Si-SiO2的势垒高度）； 该热电子必须经历一次弹性碰撞，是它的动量变为垂直于势垒方向的动量； 该热电子到达界面之前不能有任何非弹性碰撞。 热电子运动 过程 A→B：电子从沟道电场中获得能量变“热”，概率P1； 在B点由于弹性碰撞使热电子方向改变； B→C：电子到达Si-SiO2界面时不应受到任何非弹性碰撞，保留足够能量穿越栅氧势垒，概率P2； C →D：电子进入二氧化硅势垒，在氧化层镜像势阱中不能受到碰撞，概率P3； 在D点被外加电场扫到栅极。 * 栅电流产生过程 IG S G D n+ n+ p- Si A B C D * 栅电流模型（1） 栅电流概率计算 栅电流为： （1） P1为电子获得足够动能和垂直动量的概率； P2为热电子到达Si-SiO2界面时未受到任何非弹性碰撞的概率； P3为电子在氧化层镜像势阱中未受到任何碰撞的概率； λr为改变方向散射的平均自由程； dy/ λr为dy距离内热电子改变运动方向的概率。 * 栅电流模型（2） P1的计算 热电子越过Si-SiO2势垒Φb，动能须大于q Φb ，电子须在沟道中经过d= Φb /E的加速（设E为常数）； 沟道电子经过d或更长的距离而没有受到任