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第 25 卷第 4 期 中国有色金属学报 2015 年 4 月
Volume 25 Number 4 The Chinese Journal of Nonferrous Metals May 2015
文章编号：10040609(2015)04100507
新型 Hg In Te 芯片引线的键合机制
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王晓珍，傅 莉，李亚鹏，李林峰
(西北工业大学 材料学院 凝固技术国家重点实验室，西安 710072)
摘 要：Hg In Te (MIT)晶体是一种新型的短波红外光电探测材料，采用热压超声球焊的方法实现 MIT 红外探测
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器与外电路的引线连接， 探讨 MIT 复合电极厚度及结构对键合率的影响规律， 研究超声功率和键合压力对第一焊
点的外观形貌和键合强度的影响机理。结果表明：在化学抛光后的 MIT 晶片表面蒸镀 0.2 μm In、1.0 μm Au 制备
In/Au 复合电极时，键合率显著提高，达到 100%；MIT 与 In/Au 复合电极间存在一定的互扩散，促进了键合过程
的形成； 超声功率与键合压力对焊点形貌和键合强度影响最大， 当超声功率为 0.45~0.55 W、 键合压力为 0.5~0.6 N
时，焊球与引线的直径比约为 3.5，焊点变形适中，有效键合面积较大，90%以上的断裂发生在引线位置，表明此
种工艺参数下形成的键合强度高、可靠性好。
关键词：Hg In Te 芯片；热压超声键合；Au 电极；In 中间层
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中图分类号：TM23；TN36 文献标志码：A
Bonding mechanism of Hg In Te new chipwire
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WANG Xiaozhen, FU Li, LI Yapeng, LI Linfeng
(Northwestern Polytechnical University, School ofMaterials Science and Engineering,
State Key Laboratory of Solidification Processing, Xi’an 710072, China)
Abstract: In order to realize the connection of Hg In Te (short for MIT), a new type of nearinfrared photoelectric
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material, with outer circuits, the thermosonic bonding technology between MIT electrode and downlead wire was used,
and the influence of the electrode thickness and structure on the bonding ratio was studied. Furthermore, the effects of
ultrasonic power
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