锂电池(组)元件解读表.pptVIP

二、场效应管 1、概述：场效应管是场效应晶体管的简称，是电压控制元件，缩写为FET。 2、类型：有N沟道和P沟道两种 N沟道：高电平导通； P沟道：低电平导通。 3、基本参数： 耐压：VDSS、VGSS 耐流: ID(DC)、ID(PULSE) 内阻: RDS(on) 封装:SO-8、TSSOP-8、 6IP、ECH8 4、场效应管与三极管的区别： 场效应管：电压控制器件，内阻小、耗电低、电流可双向流动； 三极管：电流控制器件，内阻大，耗电较大，电流不可双向流动。 5、N沟道场效应管和P沟道场效应管对比： N沟道高电平导通，内阻较小，价格较低； P沟道低电平导通，内阻较大，价格较高。 6、内阻：指场效应管导通D、S时之间的阻抗，VGS电压 越高，内阻越低；ID电流越大时，内阻越高。 7、保护电路中，单双节保护电路通常使用N沟道场效应管，多节保护电路通常使用P沟道场效应管。 8、目前常用的道场效应管有： A、日系：三洋ECH8601、ECH8655、FTD2017系列；松下MTMC8E2A； B、美系：AOS的AO系列，目前用量较大； C、台系：富晶FS8205、FS8601系列； 茂达8205系列； D、国产：三合微8205系列 硅能SSF2816、DW01系列 韦尔WNMD2158 9、AO系列、三洋ECH8601、ECH8655、DA2017系列；松下MTMC8E2A、富晶FS8205对比 常用MOSFET参数对照表 规格型号 工作电压 耐压值 耐流值 内阻 ESD额定值 封装 工作、储存温度 工作实例 AO8810 1.8-4.5V 20V 7A 20-32m? 2000V HBM TSSOP-8 -55℃—150℃ 好记星N808、N818 AO8820 1.8-10V 20V 7A 21-50m? 2000V HBM TSSOP-8 -55℃—150℃ 中泰盛J02 AO8830 1.8-10V 20V 6A 27-55m? 2000V HBM TSSOP-8 -55℃—150℃ 中泰盛DAV02 AO9926 1.8-4.5V 20V 8A 21-33m? 2000V HBM SOIC-8 -55℃—150℃ 中泰盛E1001 AO3401 2.5-10V 30V 4.2A 50-120m? 2000V HBM SOT-23 -55℃—150℃ / 三洋ECH8601 1.3-10V 20V 7A 23-35m? 2000V HBM ECH8 -50℃—150℃ 步步高T900 三洋ECH8655 1.8-10V 24V 9A 17-26m? 2000V HBM ECH8 -50℃—150℃ / 三洋FTD2017 1.8-10V 20V 5A 17-29m? 2000V HBM TSSOP-8 -55℃—150℃ / 松下MTMC8E2A 1.8-10V 20V 5A 19-21m? 2000V HBM WMini8-F1 -55℃—150℃ 步步高H600S 富晶FS8205 1.8-10V 20V 4A 23-30m? 2000V HBM TSSOP-8、SOT23-6 -55℃—150℃ 欧新V70、V708 硅能 1.8-10V 20V 7A 23-30m? 2000V HBM TSSOP-8 -55℃—150℃ 三、NTC(热敏电阻） 1、NTC电阻即负温度系数电阻，在环境温度升高时，阻值降低，使用电设备或充电设备及时反应，控制内部中断而停止充、放电。 2、在保护电路中的工作原理： 当电池工作时，异常导致电芯温度或者电池周边环境温度上升很快，而NTC电阻紧贴电芯监测电芯温度，随着电芯温度上升，NTC阻值逐渐下降，使用电设备CPU发现这个变化，当阻值下降到设定值时，主机即发出关机指令，让电池停止对其供电，只维持很小的待机电流，达到保护电池的目的。 3、NTC基本参数:封装尺寸、阻值、允许偏差、B常数、B值偏差等。 4、NTC阻值随温度呈非线性变化，以村田NCP18XH103J03RB为例，如下图： R=R0expB(1/T-1/T0) R:周围温度T时的电阻值 R0:周围温度T0时的电阻值 B：热电阻的B常数 5、NTC阻值说明，以村田NCP18XH103J03RB为例： 四、PTC 1、说明：PTC采用高分子材料聚合物通过严格的工艺制成，由聚合物树脂基本及分布在里面的导电粒子组成，导电粒子在树脂中构成链状导电通路，PTC表现为低阻抗，电路中有过流发生时，流经聚合物自恢复