《第6章存储器-公开课件（设计）.pptVIP

第六章 存储器 （1）ROM的组成ROM电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个部分，其框图如图6.6所示。① 存储矩阵存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以是二极管、双极型三极管或MOS管，每个单元能存放1位二值代码（0或1），而每一个或一组存储单元有一个相应的地址代码。② 地址译码器地址译码器是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 第六章 存储器 存储矩阵 数据输出 地址译码器 地址输入 三态缓冲器 图6.6 掩模ROM的组成框图 第六章 存储器 ③ 三态缓冲器三态缓冲器的作用提高存储器的带负载能力，并实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线相联。（2）二极管ROM图6.7所示是具有2位地址输入码和4位数据输出的ROM电路。其地址译码器由4个二极管与门构成，存储矩阵由二极管或门构成，输出电路是由三态门组成的。 第六章 存储器 图6.7 二极管ROM电路图 第六章 存储器 存储矩阵是由4个二极管或门组成的编码器，当译码器输出的每根线分别给出高电平信号时，都会在D0～D3 4根线上输出二进制代码，故D0～D3称为位线（或数据线）。输出端的缓冲器用来提高带负载能力，并将输出的高低电平变换成标准的逻辑电平。同时通过给定EN信号实现对输出的三态控制，以便与总线相联。在读出数据时，只要输入指定的地址代码，同时令EN=0，则指定的地址内各存储单元所存数据便出现在数据输出端。需要注意的是： ①通常将每个输出的代码叫一个“字”（WORD），译码器输出为字线，D0～D3为位线，其相交叉的点就是一个存储单元，其中有二极管的相当于存1，没有二极管相当于存0。因此交叉点的数目即为存储单元数。习惯上用存储单元的数目表示存储器的存储量（或称为容量）即： 存储容量=字数×位数 如上述ROM的存储量为4×4=16位。 第六章 存储器 ②二极管ROM的电路结构简单，故集成度可以做的得很高，可批量生产，价格便宜。 ③可以把ROM看成一个组合逻辑电路，每一条字线就是对应输入变量的最小项，而位线是最小项的或，故ROM可实现逻辑函数的与－或标准式。 （3）CMOS构成的ROM电路 利用MOS工艺制成的ROM，其译码器、存储矩阵和输出缓冲器全部采用MOS管。图6.8所示给出了由CMOS构成的ROM的原理图。 由图6.8可以看出，字线和位线的交叉点，接MOS管的相当于存1，没有的相当于存0。当某根字线为高电平时，接在其上的MOS导通，其位线为低电平，通过三态非门后，输出数据为1。 （4）掩模只读存储器的特点 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性。 第六章 存储器 图6.8 CMOS构成的ROM的原理图 第六章 存储器 2. 可编程只读存储器（PROM） 在开发数字电路新产品的工作过程中，或小批量生产产品时，由于需要的ROM数量有限，设计人员经常希望按照自己的设想迅速写入所需要内容的ROM。这就出现了PROM——可编程只读存储器。 PROM的整体结构和掩模ROM一样，也有由地址译码器、存储矩阵和输出电路组成。但在出厂时存储矩阵的交叉点上全部制作了存储单元，相当于存入了1，如图6.9所示。： 在图6.9中，三极管的be结接在字线和位线之间，相当于字线和位线之间的二极管。快速熔断丝接在发射极，当想写入0时，只要把相应的存储单元的熔断丝烧断即可。但只可编写一次。 可编程只读存储器的特点是PROM的内容一经写入以后，就不可能再修改了，所以它只能写入一次。 第六章 存储器 图6.9 可编程只读存储器存储示意图 第六章 存储器 3. EPROM（Ultra-－Violet Erasable Programmable Read-－Only Memory，简称UVEPROM）可擦除的可编程只读存储器 PROM的内容一旦写入则便无法更改，只可以写一次。，为了能够经常修改存储的内容，满足设计的要求，需要能多次修改的ROM，这就是可擦除重写的ROM。这种擦除分为紫外线擦除（EPROM）和电擦除E2PROM，及快闪存储器（Flash Memory）。 EPROM和前面的PROM在总体结构上没有大的区别，只是存储单元不同，采用叠栅注入MOS管（Stacked-－gate Injuction Metal-－Oxide-－Semiconductor，简称SIMOS）做为存储单元。 图6.10所示为SIMOS的结构原理图和符号。它是一个N沟道增强型MOS管，有两个重叠的栅极——控制栅GC和浮置栅Gf。控制栅GC用于控制读