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MOSFET;6.1 MOS二極體;6.1.1 The Ideal MOS Diode 理想的MOS二極體定義：;理想的MOS二極體能帶圖;理想的MOS二極體定義（續）;非平衡狀態下之能帶圖（p型）;非平衡狀態下之能帶圖（p型）;非平衡狀態下之能帶圖（p型）（續）;非平衡狀態下之能帶圖（p型）（續）;非平衡狀態下之能帶圖（n型）;非平衡狀態下之能帶圖（p型）;空乏區寬度;空乏區寬度與摻雜濃度關係;理想MOS曲線;理想MOS曲線（C-V圖）;理想MOS曲線（C-V圖）;空乏情形下之CV圖;理想MOS曲線（C-V圖）（續）;理想MOS曲線（C-V圖）（低頻）;理想MOS曲線（C-V圖）（高頻）;理想MOS曲線（C-V圖）(n型半導體);6.1.2 SiO2-Si MOS 二極體;功函數差;常用電極材料：
鋁：功函數為4.1e.v
n+複晶矽：功函數為4.05e.v
p+複晶矽：功函數為5.05e.v
;平帶電壓（Flat-band voltage）;氧化層電荷：; ~介面陷住電荷Qit~ (interface trapped charge);~固定氧化層電荷Qf~ (fixed oxide charge);~氧化層陷住電荷Qot~ (oxide trapped charge); ~可移動離子電荷Qm~ (mobile ionic charge);;平帶電壓VFB（續）;氧化層電荷對CV圖的影響;氧化層電荷對CV圖的影響（續）;界面電荷對CV圖的影響;界面電荷對CV圖的影響（續）;界面電荷對CV圖的影響（續）;界面電荷對CV圖的影響（續）;氧化層電荷與界面電荷影響之比較;6.1.3 電荷耦合元件（CCD）;6.2 MOS的基本原理 基本的 MOSFET結構;6.2.1 基本特性;平衡狀態：VG=0，VDS=0;;VG 0，VDS=0;線性區;小的汲極電壓使得能帶圖變成好似斜坡，電子很容易由S到D，產生電流。;飽和區（Saturation region）;飽和區（續）;MOSFET 理想條件;電流電壓關係式……漸變通道近似法;電流電壓關係式（續）;理想電流關係圖;此為閘極控制電流的能力;次臨限區(Subthreshold region);次臨限區（續）;次臨限區（續）
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