《直拉单晶硅热场设计》-毕业论文（设计）.docVIP

学生毕业设计（论文） 题 目 直拉单晶硅热场设计 作 者 院 (系) 化学与化工学院 专 业 化学工程与工艺 指导教师 答辩日期 20 年 05 月 23 日 摘 要 硅单晶是一种半导体材料。直拉单晶硅工艺学是研究用直拉方法获得硅单晶的一门科学，它研究的主要内容包括：硅单晶生长的一般原理，直拉硅单晶生长工艺过程，改善直拉硅单晶性能的工艺方法等。 本论文通过对拉制单晶硅的各种方法包括：直拉法（CZ法）、悬浮区熔法（区熔法，或叫FZ法）、基座法、片状单晶生长法（EFG法）、蹼状单晶生长法、气相生长法、铸锭法及液相外延生长法的比较，得出了直拉法（CZ法）是目前研究及生产单晶硅的最主要、最普遍、效率最高的方法。同时，通过研究直拉单晶硅的工艺流程及相关设备。本设计主要研究了装料、熔硅、引晶、放肩、转肩、等径和收尾等基本操作步骤，主要设备由炉体、电器部分、热系统、水冷系统、真空系统和氩气装置五大部分组成。 关键词：单晶硅，直拉法，半导体，工艺设计，设备 论文类型：设计 ABSTRACT Single crystal silicon is a semiconductor material. Czochralski silicon technology is obtained by means of Czochralski silicon crystal with a science that studies the main elements: the general principles of silicon crystal growth, Czochralski silicon crystal growth process and improve the Czochralski silicon single Process Methods of crystal properties. This is method for comparison drawn by the various methods, including single crystal: Czochralski method (CZ method), floating zone melting method (zone melting, or call FZ method), the base method, single crystal flakes growth method (EFG method), web-shaped single crystal growth method, vapor growth method, casting method and liquid phase epitaxial growth method of control, and obtains the Czochralski method (CZ method) is the research and production of Single crystal silicon most important and most common, efficient way. Meanwhile, research to determine rocess and related equipment. Key words: silicon, Czochralski method, semiconductor, process design, equipment Thesis: Design 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u 1绪论 1 2直拉单晶硅设备及工艺流程 3 2.1直拉法制取单晶硅主要设备 3 2.2直拉单晶硅工艺流程 5 2.2.1装炉前的准备及装炉 5 2.2.2熔硅及引晶 5 2.2.3放肩和转肩 7 2.2.4等直径生长和收尾 7 3直拉单晶炉热场 8 3.1热系统和热场简介 8 3.2热场配制和调试 8 3.3热场的选择 9 3.4合理热场 10 3.5硅单晶生长方向和热场 11 4加热器的设计 13 4.1加热器的形状 13 4.2加热器的内径 13 4.3加热器的高度 13 4.4加热器的片宽 14 4.4加热器的厚度 14 4.5加热器的外径 14 5论与展望 15 参考文献 16 致 谢 17 1绪论 近年来，特别是进入21世纪，国内半导体工业蓬勃发展。其最重要的基本材料——硅单晶需求量迅猛增加，占据了举足轻重的地位。各地兴建单 晶厂和单 晶硅片生产线的报道一直不绝