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材料合成与制备方法　第三章 薄膜的制备聊城大学材料科学与工程学院本章主要内容基片及其处理方法物理气相沉积（真空蒸镀）溅射成膜化学气相沉积三束技术溶胶-凝胶技术3.1 薄膜材料基础（1）. 薄膜材料的概念 采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质（原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。 简而言之，薄膜是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。（2）. 薄膜分类 （1）物态（2）结晶态： （3）化学角度 （4）组成 （5）物性 薄膜的一个重要参数厚度，决定薄膜性能、质量通常，膜厚 数十μm， 一般在1μm 以下。 3. 薄膜应用 光学薄膜、集成电路、太阳能电池、液晶显示膜、光盘、磁盘、刀具硬化膜、建筑镀膜制品、塑料金属化制品4.代表性的制备方法按物理、化学角度来分，有： 物理成膜 PVD化学成膜 CVD 3.2 薄膜的形成机理薄膜的生长过程分为以下三种类型： (1) 核生长型 (2) 层生长型 (3) 层核生长型 (1) 核生长型 特点：到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核，后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近，使核在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶格不相匹配（非共格）时出现，大部分的薄膜的形成过程属于这种类型。核生长型薄膜生长的四个阶段： a. 成核： b. 晶核长大并形成较大的岛 c. 岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络 d. 沟道被填充 在薄膜的生长过程中，当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后，另外再撞击的离子不会形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。结合核长大小岛成核沟道连续膜孔洞(2) 层生长型 特点：沉积原子在衬底的表面以单原子层的形式均匀地覆盖一层，然后再在三维方向上生长第二层、第三层……。 一般在衬底原子与沉积原子之间的键能接近于沉积原子相互之间键能的情况下（共格）发生这种生长方式的生长。 以这种方式形成的薄膜，一般是单晶膜。例如在Au衬底上生长Pb单晶膜、在PbS衬底上生长PbSe单晶膜(3) 层核生长型 特点：生长机制介于核生长型和层生长型的中间状态。 在半导体表面形成金属膜时常呈现这种方式的生长。例如在Ge表面上沉积Cd，在Si表面上沉积Bi、Ag等都属于这种类型。 3.3基片的类型： 薄膜涂层本身不能单独作为一种材料来使用，必须和基片结合起来才能发挥其作用。玻璃基片陶瓷基片单晶基片金属基片基片的清洗基片的清洗方法应根据薄膜生长方法和薄膜使用目的来确定使用洗涤剂清洗化学药品和溶剂清洗超声波清洗离子轰击清洗烘烤清洗：3.4 物理气相沉积1). 定义 利用蒸发、溅射沉积或复合的技术，不涉及到化学反应,成膜过程基本是一个物理过程而完成薄膜生长过程的技术,以PVD为代表。 2). 成膜方法与工艺真空蒸发镀膜溅射镀膜 离子成膜真空室（钟罩）膜厚计基片挡板薄膜材料蒸发源中间室电流引入线高真空泵3).　物理气相沉积－－真空蒸镀　　真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。真空蒸发镀膜形成薄膜经历三个过程： 蒸发或升华。通过一定加热方式使被蒸发材料受热蒸发或升华，由固态或液态变成气态。输运到衬底。气态原子或分子在真空状态及一定蒸气压条件下由蒸发源输运到衬底。吸附、成核与生长。通过粒子对衬底表面的碰撞，衬底表面对粒子的吸附以及在表面的迁移完成成核与生长过程。targetsubstrate原子层的晶体生长“世界”与自然世界的比拟Natural World “Atomic-World”CloudCloudEarth surface -- groundNatural rainSnowHailThunder stormDust, PollutionEnvironmental protectionTarget/evaporated sourceSubstrate surfaceAtomic rainClustersParticlesDischargeImpurity, ContaminationVacuum3.4.1　蒸发的分子动力学基础气相分子的流量蒸发速率到达基片的分子数与蒸发分子数的比率：气体分子平均自由程：一个分子在连续两次碰撞之间所经过的直线路程(即自由程)长度不尽相同，将各段自由程取平均值，即为平均自由程。lLD（a）克努曾盒型（b）自由挥发型　（c）坩埚型3.4.2　蒸发源 应具备的条件 (1) 能加热到平衡蒸气压时的蒸发温度； (2) 要求坩锅材料具有化学稳定性； (3) 能承载一定量的待蒸镀材料。 θ基片表面dωr点蒸发源点蒸发源点源可以是向任何方向蒸发。立体角d