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第三章 电性材料;3.1 导体、半导体和绝缘体材料 ;3.1.1导体、半导体和绝缘体的区别——能带理论 ;原子结构示意图;能带：晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，从而导致离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。电子的共有化使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 ;H + H H2;金属中电子的共有化;允许带：允许被电子占据的能带称为允许带，原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。 价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带：价带以上能量的最低的允许带称为导带。 满带：被电子占满的允许带称为满带； 空带：每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 禁带：允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。导带的底能级为Ec，价带的顶能级为Ev， Ec和Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。;体块硅的能带示意图; ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ;3.1.2 导体、半导体和绝缘体区别的能带论解释;绝缘体的能带结构： 价带为满带， 禁带较宽 ΔEg≈3～6 eV; 半导体的能带结构： 价带为满带， 禁带宽度 ΔEg≈0～2 eV;载流子：导体和半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。 导体的载流子是自由电子； 半导体的载流子是带负电的电子和带正电的空穴。 ; Electron conduction in n-type semiconductors (and metals);本征半导体：是指不含杂质的半导体；通常由于载流子数目有限，导电性能不好。 N型半导体：在本征半导体中掺入5价元素，载流子多数为电子。杂质能级—施主能级 P型半导体：在本征半导体中掺入3价元素，载流子多数为空穴。杂质能级—受主能级 ;PN结(PN-junction);p;3.1.3 导体材料 金属???如银、铜、铝等； 可用作电缆材料，电池材料，电机材料，开关材料，辐射屏蔽材料，传感器材料等； 合金：如黄铜、镍铬合金等； 可用作电阻材料和热电偶材料； 非金属：如石墨、C3K、 C24S6等； 可用作耐腐蚀导体和导电填料等。;3.1.4 半导体材料;非晶;硅和锗——第一代半导体材料;Ge;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 ;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;二、杂质半导体;N 型半导体;P 型半导体;杂质半导体的示意表示;单晶硅棒 (直拉法);硅（111）晶面图;;硅在太阳能电池上的应用 单晶硅 多晶硅 非晶硅;;;;砷化镓——第二代半导体材料;砷化镓 ;氮化镓——第三代半导体材料; 特点： 三种晶体结构：纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿 宽禁带半导体材料： InN---1.9 eV，GaN---3.4 eV，AlN---6.2eV ;氮化镓 ;有机半导体材料及其应用 ;精英865PE主板——PHOTON?PF1 ;3.3 铁电、压电、热释电和介电材料 ;;;热电体： 因为原子的构型是温度的函数，所以极化状态将随温度发生变化。这种性质称为热电性。热电性是所有呈现自发极化的晶体的共性。具有热电性的晶体称为热电体。 铁电体： 存在自发极化，且自发极化有两个或多个可能的取向，在电场作用下，其取向可以改变。 压电体： 压电效应是指材料在外力作用下发生极化而在材料两端的表面上出现电位差的效应。具有压电性质的材料称为压电 材料;3.3.1 铁电材料;铁电材料的电