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场效应晶体管技术讲座
之间所能施加的最大电压值。
芯片所能承受的最大功耗。其测定条件有以下两种
表示热传导的难易程度。热阻值越小,散热性能越好。如果使用手册
Tch
= Area of Safe Operating
的电路必须有吸收电路
V DS I D
600V
开关电源
具有负的温度特性,而且变化率比双极型晶体管大。
处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大,则开启
2SK3113(600V/2A的例
2SK3918(25V/48A的例
Q GS Q GD
Q G
2.8 内部二极管 · 栅极/源极电压VGS=0时，内部二极管的正向电压-电压特性。 · 栅极/源极间加正向偏压时，即MOSFET导通状态时，与导通 阻抗的特性一致。 寄生二极管 栅极 源极 氧化膜 寄生二极管 漏极
2.9 内部二极管的反向恢复时间trr 、反向恢复电荷量Qrr 二极管可视为一种电容。积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为trr。 另外，由于反向恢复时，处于短路状态，损耗很大。因此内部寄生 二极管的电容特性使MOSFET开关频率受到限制。 寄生二极管通过电流IF后， 让电压反向以进行测试。 Qrr 正向电流 Trr Trr的测试电路 测试波形
谢谢各位 33
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