《砷化镓基二维光子晶体带隙结构的研究》-毕业论文（设计）.docVIP

PAGE 本科毕业论文 题 目：砷化镓基二维光子晶体带隙 结构的研究 院 （部）： 理学院 专 业： 应用物理学 班 级： 光电073 姓 名： 学 号： 2007121105 指导教师： 完成日期： 2011年5月31日 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u 摘要： Ⅲ ABSTRACT IV 1前 言 1 1.1序言 1 1.2砷化镓的基本性质 1 1.3光子晶体简介 2 1.4本课题研究的目的及意义 3 2砷化镓的理化性质及制备 4 2.1砷化镓的基本属性 4 2.2砷化镓的电学性质 5 2.3砷化镓的异质结构 6 2.4半绝缘GaAs的制备简介 6 2.5砷化镓的应用领域 7 2.5.1砷化镓在微电子领域的应用 7 2.5.2砷化镓在光电子领域的应用 8 3光子晶体的特点 9 3.1晶体和半导体介绍 9 3.2能带理论 10 3.3光子晶体基本原理 11 3.4光子晶体的制备 14 3.4.1.精密加工法 14 3.4.2.胶体晶体法 15 3.4.3.反蛋白石结构法 15 3.4.4.其他方法 16 3.5二维光子晶体的应用 16 3.5.1光子晶体光纤 16 3.5.2 微波天线 17 3.5.3 发光二极管 17 4光子晶体带隙的计算方法 19 4.1常用二维光子晶体带隙的计算方法 19 4.2平面波展开法 19 5砷化镓基二维光子晶体带隙的研究 24 5.1 砷化镓基二维光子晶体带隙分析 24 5.2 数值计算分析 25 5.2.1 A不变，R变化对带隙的影响，TM作为入射波 25 5.2.2 A不变，R变化对带隙的影响，TM、TE同时入射 26 5.2.3 R不变，A变化对带隙的影响，TM、TE分别入射 27 5.2.4 R不变，A变化对带隙的影响，TM、TE同时入射 28 6总 结 29 谢 辞 30 参考文献 31 摘 要 光子晶体是一种具有光子带隙的新型功能材料,由于其在控制光子行为方面与半导体控制电子有相似之处，对于未来实现全光通信、光子计算机的的制造起着关键作用，因而成为人们研究的热点。 本文介绍了砷化镓（GaAs）的基本性质、常用的制备方法和在光子晶体领域的应用，以及光子晶体的发展历史、一般特性、应用和基本理论研究方法。使用平面波展开法研究了二维光子晶体光子带隙和结构常数之间的关系，并绘制出了砷化镓基二维光子晶体光子带隙的大小与结构常数之间的关系图，描述了其中的规律，对砷化镓基光子晶体的制备提供了一定的参考。 关键词：砷化镓(GaAs)；二维光子晶体；光子带隙；平面波展开法 Research of the structure of Photonic Band-Gap (PBG) of GaAs-Based 2D Photonic Crystal ABSTRACT Photonic crystal is a kind of new functional photonic band gap materials. It plays an important role in achieving all-optical communication and computer manufacturing, and becomes an intensively studied hot point, because its behavior in dominating photon is similar to semiconductor in dominating electrons. In this paper, we introduce the gallium arsenide（GaAs）’basic nature, preparation and the application in the photonic crystals field, and the development of the photonic crystals’ history, general characteristics, application and theoretical research methods. we use the plain wave expanding (PWE) method to research the relationship between the two di