GaAs MESFET中的背栅效应.docVIP

维普资讯 第 ３ 卷 第５ ２０ 年 １ 月 ８ 期 ０１ Ｏ 　 半导体情报　 ５　 ３ 在 Ｆ Ｔ 和背 栅 之 间 加 了一 个 ｌ 宽 的 肖特 基 栅　 Ｅ 　ｍ 极 。漏极 电压 和栅 极 电压 分 别为 ｌ 和 ０ ｖ Ｖ　 图 ８所 示为没 有 肖特基 栅极 时在不 同衬底 条件　 下 ，漏 电压 为 １ 时 ，漏极 电流　 同背栅 电压之 间　 Ｖ 的关 系 ，以及 背 栅 漏 电 流　 同背 栅 电压 之 间的 关　 系。在 ＨＴ 情况 时 ，衬 底仅 包含空 穴 陷阱 ， 　 从零　 偏 压时就 迅 速减 小 ； ＨＴ 情况 时 ， 在 Ｒ 衬底 条件 为 富　 空 穴陷 阱但是包 含 一部分 电子 陷 阱 ， 仍 然是减 小　 　 的趋 势 ， 是减小 率 比 ＨＴ情 况时 小 ； Ｅ Ｒ情 况　 但 在 Ｔ 时 ，衬底 条件 为富 电子 陷 阱 ，背栅效 应减 小 ，并 且　 漏极 电流 随着 负背栅 电压 而增 加 ；Ｅ Ｔ情 况 同 Ｅ Ｒ Ｔ 　 情 况 相 似　 电流 的减 小 。 Ｅ 在 ＴＲ衬 底 ， 电势 的分布几 乎是线性　 的 ，由 于 线 性 分 布 ，要 在 Ｆ Ｔ 沟 道 附 近 产 生 同 ＨＴ Ｅ 　 和 ＨＴＲ相 同数量 的压 降 ， 就需要更 高 的负 电压 ， 　 因 此 ，在这 种衬 底 中 ，背栅 效应 要小 。 由于陷阱 的不　 同类型 ， ＴＲ衬 底的 电势分 布类 似于 ｎ ｎ 一 结构 ． Ｅ 　 １ ３ 　 同时 ＨＴ 和 ＨＴＲ衬 底的 电势分 布类 似于 ｎＰ — 　 ｎ结　 构 ，这 就 解 释 了 为 什 么 在 Ｅ ＴＲ 中 的 漏 电 流 要 比 在　 Ｈ 和 ＨＴ 衬 底 的 高 （ 图 ８ （ ）　 Ｔ Ｒ 如 ｂ） 图 ９给 出 了有 肖特基 接 触 和无 肖特 基接 触 时 ， 　 漏极 电流　 同负背栅 电压 的关系 曲线　从 曲线 中可　 以看 到 ， 压 肖特 基接 触存 在时 ， 偏 背栅 效 应被 加强 ， 　 并 且有一 很 明显 的阈值 （ ） 当背栅 电压超 过阈值　 　 。 时， Ｅ Ｆ Ｔ漏 电流急 剧下降 。对 于有 肖特 基栅 极的结　 掏 ， ｈ的 增 加 和　 　 的减小更 加 急剧。。 　 　 《　 三 　 善　 一 　 圈 ９ Ｆ Ｔ耩 电藏 与 背 栅 电 压关 系 蛆线　 　 Ｅ 图１ ０给 出了将 不 同偏 压 加 在 肖特基 栅 极上 背　 栅 效应 的模拟 结果 。通 过模拟 曲线 发现 ，当在 肖特　 基栅 极上加 正偏 压时 ，背栅效 应加 强 ．而加 负偏压　 时 ，背 栅效 应减 小 。随着 肖特基栅 极上 的负偏 压的　 增大 背栅 阈值 电压 Ｖ 　增 加 。为 了更 进 一步 了解 背　 刚 ８ 无 肖 特基 栅 时 Ｆ Ｔ 精 电 流厦 背栅 耩 电 藏 同 背 栅 电压 芰 系 Ｅ 　 栅效 应 的阈值 现象 ， 肖特基偏 压在 ０ 和 一２ 时　 将 Ｖ Ｖ 的漏 电流 曲线 提取 出来 ．进行 分析 ，如 图 ｕ 所 示 。 　 从 图中 ，可 以看 到在背 栅效 应出现 之前 ，流过 肖特　 基栅 极 的 电流 （ ）要 比总 的背栅 漏 电流 （ ）小　 　 　 得多 。 而 到达背栅 阈值 时 ，肖特 基 电流改变 符号 ， 然 　 随着 负背栅 电压 的增加 迅速增 加 ，此时背 栅漏 电流　 主要 是流经 肖特 基栅 极的 电流 。 当肖特基 栅极 上 的　 电压 从反偏 变 到正偏 时 肖特基 电流改 变方 向。在背　 没有 肖特基接触 时 ， ＨＴＲ条 件下 ， 加负背　 在 施 栅 电压之 后 ，在半绝缘 衬 底 的背栅一侧 产 生一 平 直　 电势 区 ， 而在 Ｆ Ｔ 附近产 生很 大 的压 降 。由于背　 因 Ｅ 栅上施 加 了负偏 压 ， 从沟 道一 底界 面附近 的空穴 陪　 衬 阱 中发 射 出 的空穴 会 在 Ｆ Ｔ 沟 道 附近 产 生 负 电荷　 Ｅ 以 及 空 穴 耗 尽 区 。 这 一 负 空 间 电 荷 区 的 一 部 分 被　 Ｆ Ｔ 沟 道 内 的 正 空 间 电 荷 区 所 平 衡 ， 而　ｆ 了漏 　 Ｅ 因 起 维普资讯 ５　 ４ 半 导 体 情 报　 ． ． ． ． ． ． ． ． ． 第３卷 第５ ８ 期 ２０ 年 ｌ 月 ０１ ０ 　 ｒ ． 出现 之前 　 Ｌ ． ．。 ． ．．．． ． ． 　． ．． ． 肖特基栅 ． 栅 阈值．　 　　．　．Ｐ ．．．．．．．　　．．． 极 的 电压一直处 于 反偏 ． 　 Ｌ 　 电流从 肖特基 接触 流 出。在 阅值 出现之后 ， 肖特基　 栅 极变为 正偏 ，电