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MESFET 功率放大器设计：小信号法 基本工程问题: 没有大信号器件模型,怎样设计功率放大器? *许多器件供应商不提供其器件的大信号模型. *通常提供的唯一设计数据是器件的小信号S参数和静态IV曲线. *利用前面STEVE CRIPPS 介绍的负载线法,根据这些数据足以设计第一类的功率放大器. 功率放大器是大信号器件，因为在接近功率饱和时其特性呈现非线性。但许多场合，设计师仅有一组小信号S参数，在电路仿真时，作为表示有源器件的根据。由于这些S参数只适用于小信号，在大信号时怎样设计最大射频输出功率和线性，并不清楚。Steve Cripps提出一种方法，可以用器件的静态IV曲线确定大信号负载线阻抗（RL），设计第一类放大器。RL用做目标阻抗，即用输出匹配电路表示的管子漏极负载。用该方法设计师可以对RF最大输出功率优化输出电路，同时对最佳输入匹配和最大增益优化输入电路。通常输出匹配较差，这是因为为了输出最大RF功率，有意造成一定失配（即：输出匹配对RL优化，而不是对器件的S22优化）。 该方法的局限性 *仅对最大Psat优化 *仅对A类和AB类工作状态有效 *无法计算交调产物：IM3，IMR5，IP3 *无法计算谐波电平 *无法计算ACPR（对数字调制） 小信号设计技术有其局限性。输出电路对最大RF饱和功率优化，但不一定对最大线性功率。就是说无法直接计算1dB压缩点输出功率。而且也无法直接计算放大器的二音交调性能：IM3，IM5，IP3和IP5。为了计算这些重要参数，设计师必须依靠测量法或“经验（rules of thumb）”。MESFET放大器的两个重要“经验”是： *P-1dB比Psat约低1dB。 *IP3比P-1dB约高10—12dB。 论题： 用小信号法求解最大功率 *设计流程图（步骤） *指标 *选择器件 *由IV曲线计算负载线电阻 *匹配网络 *分布参数与集总参数 *仿真：增益，输入匹配和输出匹配 *提取封装参数 *使输出功率最大：匹配负载线电阻 *用K因子衡量放大器的稳定性 基本设计流程图： 设计步骤： 依据级连放大器链的要求选择器件。 保证整个放大器链同时平滑地进入饱和 区。没有任意一级先饱和。 *根据频率，带宽，成本目标和经验选择匹配电路结构。 *根据工作类型和电源要求选择偏置电路。MESFET要求偏置电路提供负栅压。对于高线性电路，推荐使用A类工作。在A类工作时，直流漏极电流应为器件Imax的1/2。 *对增益和输入匹配优化输入电路。 *确定器件静态IV曲线负载线。 *提取封装寄生元件，它们将是整个输出匹配电路的一部分。 *优化输出匹配电路达最佳值RL（这是达到RF输出功率最大的条件）。 *若需要，增加电路元件，保证宽带无条件稳定。 小信号设计流程图: 小信号设计过程说明： 使用器件的小信号S参数仿真和优化增益和输入匹配电路。 使用器件的IV曲线确定负载线RL。为使输出功率最大，用RL表示器件的“内部”漏极负载，以此作为输出匹配电路的“目标”。该法以基本网络理论为基础，如果一个网络对一个复阻抗提供良好匹配，则网络的输出阻抗等于负载阻抗的复数共轭值。现在的负载阻抗是纯实数RL，所以最佳输出匹配电路反映到器件漏极负载的阻抗是RL的复数共轭值，即RL，因为负载阻抗的虚部为零。 根据MESFET管IV曲线，计算最大RF功率输出时的负载线RL 产生最大RF功率的合适输出阻抗可由测试确定，也可用图解管子的静态IV曲线得到。 负载线电阻RL必须用输出匹配电路表示的管子输出负载来表示。为得到最好线性，应在线性最好的A类工作状态下，选择负载线。通过最大化放大器的线性，可做出最适合于数字调制工作（如CDMA或TDMA）的放大器。 计算负载线电阻 根据偏置电压和输出功率计算 在A类工作中，以输出功率为函数，偏置条件为参量（Vb-Vs）计算RL， RL=SQR（Vb-Vs）/2Pout 在IV图中表示出依输出功率求RL的公式。仅由要求的输出功率和预计的漏源电压就能直接求得RL。 负载牵引实验表明，除了考虑纯负载线电阻外，还必须考虑匹配一个小电抗，即与RL并联的电容Cds。Cds值已由实验得到，约每毫米栅宽0.10PF。 计算最小击穿电压与RL的关系: 在器件可靠的前提下,击穿电压是确定GaAs MESFET器件偏置电压和最大输出功率的关键参数。 在设计功率放大器时，器件可靠性是一个非常重要的因素。器件结合点间的雪崩击穿是器件非热失效的主要原因。本节讨论击穿电压与偏置条件和RF信号电平间的关系。先分析该重要论题的条件和考虑因素。 在一组偏置电压下，为了得到最大输出功率，设计A类GaAs MESFET功率放大器时，必须为管子的漏-源端提供最佳负载线电阻。该电阻很容易用图解法从静态IV曲线得到。 如果管子