垂直式双扩散低压功率金氧半场效应电晶体之闸极长度的最.pdf

報告題名： 垂直式雙擴散低壓功率金氧半場效應電晶體 之閘極長度的最佳化設計 The Optimum Gate Length Design of Vertical Double-diffused Low Voltage Power MOSFET 作者：蔡志明、呂秉叡、戴明傑 系級：電子四甲 學號：D9149664 開課老師：簡鳳佐、李景松 老師 課程名稱：專題研究、化合物半導體元件 開課系所：電子工程系 開課學年：九十四學年度 第一學期 垂直式雙擴散低壓功率金氧半場效應電晶體 之閘極長度的最佳化設計 摘 要 本專題研究 N型 30伏特垂直式雙擴散低壓功率金氧半場效應電 晶體（ Vertical Double-diffused MOSFET, VDMOS ）之閘極長度的最 佳化設計，閘極長度減小造成 空乏區曲率降低與導致相鄰的P-Well 距離縮小，促使晶胞（ Cell ）間的空乏區更緊密