磁敏传感技术37621.ppt

第六章 磁敏传感器;6.1 磁敏电阻器 磁敏电阻器（Magnetic Resistance ）是基于磁阻效应的磁敏元件,也称MR元件。磁敏电阻的应用范围比较广，可以利用它制成磁场探测仪、位移和角度检测器、安培计以及磁敏交流放大器等。 一、磁阻效应 若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。; 在外加磁场作用下，某些载流子受到的洛伦兹力比霍尔电场作用力大时，它的运动轨迹就偏向洛伦兹力的方向；这些载流子从一个电极流到另一个电极所通过的路劲就要比无磁场时的路劲长些，因此增加了电阻率。 若某种金属或半导体材料的两种载流子 (电子和空穴 )的迁移率十分悬殊，主要由迁移率较大的一种载流子引起电阻率变化 . 当温度恒定时，在磁场内，磁阻与磁感应强度 B 的平方成正比。如果器件只是在电子参与导电的简单情况下，理论推导出来的磁阻效应方程为;当电阻率变化为Δρ＝ρB －ρ0时，则电阻率的相对变化为：;磁阻效应还与磁敏电阻的形状、尺寸密切相关。这种与磁敏电阻形状、尺寸有关的磁阻效应称为磁阻效应的几何磁阻效应。若考虑其形状的影响。电阻率的相对变化与磁感应强度和迁移率的关系可表达为 ; 图（a）是元件长宽比L/bL的纵长方形片，