西安交通大学微电子制造技术第六硅片制造中的沾污控制教材课程.pptVIP

电信学院 微电子学系 * 微电子制造技术 微电子制造技术第 6 章 硅片制造中的沾污控制 引 言 一个硅片表面有多少个芯片，每个芯片差不多有数以千万计的器件和互联线路，它们对沾污非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而不断缩小，控制表面沾污变得越来越关键。 本章将介绍硅片制造中各种类型的沾污和它们的来源，以及怎样有效控制沾污等内容，以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能产品 为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业开发了净化间。净化间以超净空气把芯片制造与外界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规的工作环境。 学 习 目 标 1. 了解5种不同类型的净化间污染，并讨论与每种污染相关的问题； 2. 列举净化间的7种沾污源，并描述每一种是怎样影响硅片的洁净； 3. 解释并使用净化级别来表征净化间的空气质量； 4. 说明两种湿法清洗的化学原理，解释每一种分别去除那种污染。 嵌入的颗粒 表面污染 Figure 6.1 硅片污染 颗 粒 颗粒是指能沾污在硅片表面的小物体。悬浮在空气中传播的颗粒被称为浮质。从鹅卵石到原子的各种颗粒的相对尺寸分布如下图所示。 Figure 6.2 颗粒的相对尺寸 毫米 1 10-1 10-2 10-3 10-4 10-6 10-7 10-5 10 原子 物质的单个分子的尺寸 薄雾 稀薄烟雾 烟云颗粒 大气灰尘 烟雾颗粒 沙 灰尘 小石子 Micrograph courtesy of AMD, particle underneath photoresist pattern Photo 6.2 微粒引起的缺陷 接触孔 线宽 间距 ~90 mm 集成电路最小的特征尺寸 = 0.18 mm 90 mm 0.18 mm = 500 人体毛发的相对尺寸大约是集成电路上最小特征尺寸的 500倍 较大集成电路 的一小部分 人体毛发的剖面 Figure 6.3 人类头发与 0.18 mm颗粒的相对尺寸 硅片表面的颗粒密度代表了特定面积内的颗粒数，颗粒密度越大，产生致命缺陷的机会就越大。一道工序引入到硅片中超过某一关键尺寸的颗粒数，用术语可表示为每步每片上的颗粒数(PWP)。 颗粒的检测最简单的方法是通过显微镜观察，先进的检查已经被激光束扫描硅片表面所取代。 Process Tool 硅片进入工艺设备前 的初始颗粒数. 硅片通过工艺设备后 的硅片表面的颗粒数 Figure 6.4 每硅片每通道看来数 金属杂质 硅片加工厂的污染也可能来自金属化合物。危害半导体工艺的典型金属杂质是减金属，它们在普通化学品和工艺中都很常见(如下表所示)。 金属杂质带来的问题 Figure 6.5 可动离子沾污改变阈值电压 + + + + + + + + + + + + + + + + + + Source Drain P- silicon substrate Gate N+ N+ -Vs +Vd +Vg 离子沾污改变晶体 管的电学特性 电子导电 + + Gate oxide Polysilicon + + + + + + + + + + + + + + 有机物沾污 有机物沾污是指那些包含碳的物质，几乎总是同碳自身及氢结合在一起，有时也和其它元素结合在一起。有机物沾污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气等。为了避免有机物沾污，现在用于硅片加工的设备使用不需要润滑剂的组件来设计。 在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。工艺过程中有机材料给半导体表面带来的另一个问题是表面的清洗不彻底，这种情况使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面。 自然氧化层 硅片如果暴露在室温下的空气或者含溶解氧的去离子水中，硅片表面将被氧化。自然氧化层同样是一种沾污，是硅片制造不可接受的。下图给出了自然氧化层的存在，会增加金属导体和器件有源区的接触电阻。 在钨淀积前，自然氧 化层生长在接触孔 钨塞 硅上有源区 层间 介质 层间 介质 氧化层隔离接触 Figure 6.6 静电释放 静电释放(ESD)也是一种形式的沾污，因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏微芯片。 ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩察。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。 微芯片制造中特别容易静电释放，因为芯片加工通常保持在较低的湿度(典型条件为40％±10％)中，这种条件容易使较高级别的静电荷生成