第4章光检测器和光接收器整理培训讲学.pptVIP

第4章 光检测器和光接收器;4.1 光检测器的工作原理 光检测器的作用是将接收到的光信号转换成电流信号。其工作过程的基本机理是光的吸收，见第1章1.1节。当能量超过禁带宽度Eg的光子入射到半导体材料上时，每一个光子若被半导体材料吸收将会产生一个电子-空穴对，如果此时在半导体材料上加上电场，电子-空穴对就会在半导体材料中渡越，形成光电流。图4.1.1说明了光检测器的工作原理。 图4.1.1 光检测器的工作原理 左侧入射的信号光透过P＋区进入耗尽区，当PN结上加反向偏置电压时，耗尽区内受激吸收生成的电子-空穴对分别在电场的作用下做漂移运动，电子向N区漂移，空穴向P＋区漂移，从而在外电路形成了随光信号变化的光生电流信号。耗尽区的宽度由反向电压的大小决定。符号P＋表示重掺杂区。 ;4.1.1 PIN光检测器 PIN光检测器也称为PIN光电二极管，在此，PIN的意义是表明半导体材料的结构，P+和N型半导体材料之间插入了一层掺杂浓度很低的半导体材料（如Si），记为I，称为本征区，如图4.1.2所示。 ;实际上，PN结耗尽区可等效成电容，它的大小与耗尽区宽度的关系如下： （4.1.2） 式中，? 是半导体的介电常数；A是耗尽区的截面积。Cd的典型值为1～2pF。可见，耗尽区宽度w越窄，结电容越大，电路的RC时间常数也越大，不利于高速数据传输。 考虑到漂移时间和结电容效应，光电二极管的带宽可以表示成 （4.1.3） 式中，RL是负载电阻。 由上述分析可知，增加耗尽区宽度是非常有必要的。 由图4.1.2可见，I区的宽度远大于P+区和N区宽度，所以在I区有更多的光子被吸收，从而增加了量子效率；同时，扩散电流却很小。PIN光检测器反向偏压可以取较小的值，因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。 当然，I区的宽度也不是越宽越好，由式（4.1.1）和式（4.1.3）可知，宽度w越大，载流子在耗尽区的漂移时间就越长，对带宽的限制也就越大，故需综合考虑。由于不同半导体材料对不同波长的光吸收系数不同，所以本征区的宽度选取也各不相同。例如Si PIN光吸收系数比InGaAs PIN小两个数量级，所以它的本征区宽度大约是40?m，而InGaAs PIN本征区宽度大约是4?m。这也决定了两种不同材料制成的光检测器带宽和使用的光波段范围不同，Si PIN用于850nm波段，InGaAs PIN则用于1310nm和1550nm波段。;与PIN光检测器比较起来，光电流在器件内部就得到了放大，从而避免了由外部电子线路放大光电流所带来的噪声。我们从统计平均的角度设一个光子产生M个载流子，它等于APD光电二极管雪崩后输出的光电流IM与未倍增时的初始光电流IP的比值 （4.1.4） 式中，M称为倍增因子。倍增因子与载流子的电离率有关，电离率是指载流子在漂移的单位距离内平均产生的电子-空穴对数。电子电离率与空穴电离率是不相同的，分别 用 和表示，它们与反向偏置电压、耗尽区宽度、掺杂浓度等因素有关，记为 （4.1.5） 式中，kA为电离系数，它是光检测器性能的一种度量。对M的影响可由下式给出，即 （4.1.6） 当 时，仅有电子参与雪崩过程， ， 增益随w指数增长；当 且 时，由式（4.1.6）可得，出现雪崩击穿。通常，M值的范围在10~500之间。 APD光电二极管出现雪崩击穿是因为所加的反向偏置电压过大，考虑到M与反向偏置电压之间的密切关系，常用经验公式描述它们的关系，即 （4.1.7） 式中，n是与温度有关的特性指数，n = 2.5～7；VBR是雪崩击穿电压，对于不同的半导体材料，该值从70～200V不等；V为反向偏置电压，一般取其为VBR的80%～90%。APD管使用时必须注意保持工作电压低于雪崩击穿电压，以免损坏器件。;4.2 光检测器的特性参数 4.2.1 光检测器性能参数 1．量子效率 入射光（功率为Pin）中含有大量光子，能转换为光生电流的光子数和入射的总光子数之比称为量子效率，它的计算由下式给出，即 （4.2.1） 式中，q为电子电荷（1.6×10－19C）；IP为产生的光电流；h为普朗克常数；v为光子的频率。量子效率的范围在50%～90%之间。 2．响应度 光检测器的光电流与入射光功率之比称为