用化学气相沉积cvd法制备薄膜材料.pptVIP

* 履带式常压CVD装置 衬底硅片放在保持400℃的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。 * 模块式多室CVD装置 桶罐式CVD反应装置 对于硬质合金刀具的表面涂层常采用这一类装置，它的优点是与合金刀具衬底的形状关系不大，各类刀具都可以同时沉积，而且容器很大，一次就可以装上千的数量。 各个反应器之间相互隔离利用机器手在低压或真空中传递衬底硅片。因此可以一次连续完成数种不同的薄膜沉积工作。 * 影响CVD制备材料质量的因素： 反应混合物的供应：通过实验选择最佳反应物分压及其相对比例。 沉积温度：直接影响反应系统的自由能，决定反应进行的程度和方向，不同沉积温度对涂层的显微结构及化学组成有直接的影响。 衬底材料：涂层能与基体之间有过渡层或基体与涂层线性膨胀系数差异相对较小时，涂层与基体结合牢固。 系统内总压和气体总流速：直接影响输运速率，由此波及生长层的质量。 反应系统装置的因素：反应系统的密封性、反应管和气体管道的材料以及反应管的结构形式对产品质量也有不可忽视的影响。 源材料的纯度：材料质量又往往与源材料（包括载气）的纯度有关。 * 4 CVD制造薄膜技术的介绍 4.1 CVD法制备薄膜过程描述（四个阶段） （1）反应气体向基片表面扩散； （2）反应气体吸附于基片表面； （3）在基片表面发生化学反应； （4）在基片表面产生的气相副产物脱