超大规模集成电路分析与设计.pptxVIP

教材（I）书名：超大规模集成电路设计导论出版社： 清华大学出版社作者：蔡懿慈，周强 编著参考教材（II）《CMOS超大规模集成电路设计（第3版）》 出版社：中国电力出版社 作 者： 维斯特（美），哈里斯（美）《超大规模集成电路与系统导论》 出版社：电子工业出版社 作 者： John P. Uyemura 《 Verilog HDL入门（第3版） 》 出版社：北京航空航天大学出版社 作 者：巴斯克（美）Modern VLSI Design: Systems on Chip（3rd Ed） 出版社： 辞学出版社 作 者： Wayne Wolf ISBN: 0-13-011076-0 教学与考试安排课程要求 （1）掌握微结构、电路单元、模型、参数、CAD过程 （2）实际分析典型电路，加深设计“概念”的理解教学时间安排 第4-15周，每周2下午7-8节、周4上午3-4节成绩考核 考试（70%）+课外作业（30%）课程介绍（I）VLSI system 特点规模大（时序、控制复杂）、实体小（线条单元小）、速度快（频率）、功耗小技术范围：集成电路、热学、静电学、拓扑学、系统控制、非线性电路等主要相关技术：微电子半导体、电路与系统、计算机CADMOS结构为主体VLSI分析和设计与其他课程的区别VLSI课程是硅片上基于千万个微细晶体管结构组合的电路技术课程电子技术课PCB上的电路课程总之，是解决模型、调试、仿真、综合的技术问题专业英语Very-large-scale-integration (VLSI) is defined as a technology that allows the construction and interconnection of large numbers (millions) of transistors on a single integrated circuit.Integrated Circuit is a collection of one or more gates fabricated on a single silicon chip.Wafer is a thin slice of semiconductor material on which semiconductor devices are made. Also called a slice or substrate.Chip is a small piece of semiconductor material upon which miniaturized electronic circuits can be built.Die is an individual circuit or subsystem that is one of several identical chips that are produced after dicing up a wafer.1.1 集成电路的发展(1)Moore’s Law （摩尔定律） “The number of transistors per chip would grow exponentially (double every 18 months)”. （ by Gordon Moore, Intel @1965 ）1.1 集成电路的发展(2)集成度是集成电路发展水平的一个重要标志1.1 集成电路的发展(3)1997199920012003200620092012最小线宽/mm0.250.180.150.130.100.070.05DRAM 容量256MB1GB未定4GB16GB64GB256GB每片晶体管数/106112140762005201400芯片尺寸/mm2300340385430520620720频率/MHz750120014001600200025003000金属化层数66-7777-88-99最低供电电压1.8-2.511.5-1.81.2-1.51.2-1.50.9-1.20.6-0.90.5-0.6最大晶圆直径200mm300mm300mm300mm300mm450mm450mm特征尺寸(Feature size)：通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度，如MOS晶体管的栅极长度。通常用特征尺寸来衡量集成电路的制造工艺水平。特征尺寸越小，芯片的集成度越高、速度越快、性能越好。微米、亚微米、深亚微米、超深亚微米。1.1 集成电路的发展(4) TechnologyNumber of gates/transistors per chipYearSSI少于10060’sMSI100-100070’sLSI1000-10万80’sVLSI10-1