半导体 第十四讲 CMP.pptVIP

因此，Rodel另一系列的IC(品名)产品，具较低压缩性，较高硬度的MicroporousPolyurethane，可以有效提升平坦度的效果，但均匀度的控制降低。使用IC1000／Suba IV的组合垫则兼顾了平坦度与均匀度的效果，也就成为今日对氧化硅薄膜在CMP工艺的主要研磨垫。稳定的工艺除了选择适当的研磨垫外，适当的保养则是必要的过程。在研磨过程中，研磨垫表面材质也会耗损，变形。 另外表面堆积的反应物也需妥当的排除。因此在使用中，如无适当的处理，研磨垫表面将呈现快速老化，造成蚀刻率衰退等现象。为了解决研磨垫的老化问题，现代的CMP机台都具备研磨垫整理器，具备与研磨过程同步整理或定时整理的功能。该整理器的设计经由研磨垫表面磨损的控制，可以维持稳定的工艺及维持研磨垫的使用寿命 聚氨酯抛光垫 聚氨酷抛光垫： 主要成分是发泡体固化的聚氨酷,其表面许多空球体微孔封闭单元结构, 这些微孔能起到收集加工去除物、传送抛光液以及保证化学腐蚀等作用,有利于提高抛光均匀性和抛光效率,但是由于硬度较大,能够得到较高的抛光去除率,但容易产生划痕 带绒毛的无纺布抛光垫 带绒毛的无纺布抛光垫： 这种抛光垫以无纺布为基体,中间一层为聚合物,表面层为多孔的绒毛结构;当抛光垫受到挤压时,抛光液会进入到空洞中,而在压力释放时会恢复到原来的形状,将旧抛光液和反应物排出,并补充新的抛光液;这种抛光垫硬度小!压缩性大!弹性好,可获得较小的表面粗糙度 化学机械研磨工艺控制 化学机械研磨过程中，研磨垫、研磨剂与晶片表面材料产生相互运动，因此各材质本身的质量都将影响工艺的过程。另外研磨的机制中，化学与机械作用交互影响，因此工艺的监控也可以多样变化。在实际的应用上，如能了解研磨机制，即可掌握化学与机械作用的主轴关系，达到合理的工艺控制。 对化学机械研磨机制，预测蚀刻率、均匀度及薄膜材料研磨后的粗糙度等的了解是控制生产工艺的关键。由于研磨中的机械与化学交互作用，机制的探讨是相当复杂的问题。而在实际生产中，CMP设备在机械参数控制上已相当稳定，因此以机械作用为主的研磨工艺，就成为稳定工艺的最佳设计方式。1927年Preston所发表的经验方程式可以有效说明研磨的基本关系，其式为 RR=Kp·P·V 其中RR为蚀刻率，P为晶片上的施加压力，而V为相对线性速率。Kp则称为Preston常数。 Preston方程式说明了蚀刻率与压力、线性速度成正比关系，其他物性、化性及机械参数及特性都隐藏在Preston常数内。在良好的机台参数控制下，一般氧化层膜的工艺控制范围都可适用Preston方程式。典型的例子如图3所示。由图上可以看出氧化硅膜的蚀刻率与施加压力呈正比的线性关系。另外在不同设定的转速下亦都呈现正比的线性关系，其斜率则随著转速而增加。图4即在固定的施压下，观察蚀刻率与平台转速的关系。一般实验结果可以得到线性但非正比关系。此现象的原因较为复杂。在实际的研磨机台参数设定为研磨盘及载具的转速，换算成相对速度言，理论值即有差值。另外转速的改变，对研磨剂的流动与有效分布可能形成干扰，而不再是稳定状况。因此相对的转速与蚀刻率关系，将因机台的区别，状况设定的差异，研磨垫的材质、纹理而有所改变。 图3 热氧化硅薄膜的CMP刻蚀速率与压力的关系 图4 热氧化硅薄膜的CMP刻蚀速率与平台转速的关系 对化学机械研磨工艺而言，要维持蚀刻率的稳定性相当不容易，但相对蚀刻率的比值容易控制。主要的原因是相对蚀刻率比值是受薄膜本身材质的影响，而机台的机械参数及消耗材的变数是同步改变。因此相对蚀刻率则可作为抛光终点的一个参考指标。 CMP技术的优点 1. 全局平坦化，台阶高度可控制到50?左右 2. 平坦化不同的材料 3. 平坦化多层材料 4. 减小严重表面起伏 5. 能配合制作金属图形（大马士革工艺） 6. 改善金属台阶覆盖 7. 减少缺陷 8. 不使用危险气体 CMP技术的缺点 1. 新技术，工艺窗口窄，工艺变量控制相对较差。 2. 厚度及均匀性的控制比较困难加强终点检测。 3. 设备昂贵。 化学机械抛光CMP 硅片的表面起伏问题与解决方案化学机械平坦化CMP CMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨 硅片的表面起伏问题 双层金属IC的表面起伏 平坦化的定性说明 1）未平坦化 2）平滑：台阶角度圆滑和侧壁倾斜，台阶高度未减 3）部分平坦化：平滑且台阶高度局部减小 平坦化的定性说明 4）局部平坦化：完全填充较小缝隙或局部区域。相对于平整区域的总台阶高度未显著减小 5）全局平坦化：局部平坦化且整个Si片表面总