《第8章 磁介质中的磁场》.pptVIP

第8章　磁介质中的磁场;　教学要求(大学物理2);本次课;一、磁介质的磁化(magnetization of magnetic medium);顺磁质和抗磁质又称为弱磁质。（因为它的附加磁感应强度B/的值都比B0要小得多，故它对原来磁场的影响极为微弱 ）;（1）顺磁质(paramagnetic substance) 。 磁化机理——来自分子磁矩; 虽然分子中每个电子的轨道磁矩与自旋磁矩都不等于零，但分子中所有电子的轨道磁矩与自旋磁矩的矢量和却等于零，即分子磁矩为零（Pm=0）。 ;磁介质磁化与电介质极化的区别:;(4) 磁化强度矢量(magnetization vector)与分子电流(molecular current)的关系;磁化强度矢量与磁化面电流强度的联系？ ; 在第7章 电场中，我们曾引入了一个辅助物理量——电位移矢量D，得出电介质中的高斯定理。类似电场的方法，引入磁学中的一辅助物理量——磁场强度矢量，将真空中的安培环路定理和磁场中的高斯定理推广到有磁介质存在情况。 ; 上式为有磁介质时的安培环路定理。它表示，磁场强度H沿任何闭合回路的线积分，等于通过该回路所包围传导电流的代数和。 ;相对磁导率 (relative magnetic permeability);解：这两个无限长的同轴圆柱体，当有电流通过时，它们所产生的磁场是对称的。作一个与圆柱形导体同轴、半径为a的圆形闭合回路，其绕向与电流成右手螺旋关系如图，根据安培环路定理 ，有;休息一下，广告也精彩，马上就回来。;1、铁磁质(ferromagnetic substance) ;.铁磁质的磁滞回线 (magnetic hysteresis loop of ferromagnetic substance ) ;初始磁 化曲线; 在图中的O点表示未磁化状态，即H=0，B=0。当逐渐增大I从而增大H时,可得oa段曲线。由图可知,随着H增加,B在开始增加很快,以后逐渐变慢，最后几乎不再增大，即达到饱和值。; 实验指出,铁磁性材料在交变磁场的作用下反复磁化时要发热,磁体内分子的状态不断改变,因而分子的振动加剧,温度升高。而使分子振动加剧的能量是由产生磁场的电流源提供,这部分能量转化为热量而散失掉。这种在反复磁化过程中的能量损失称为磁滞损耗。理论和实验证明,各种铁磁质有不同的磁滞回线,磁滞回线所围的面积越大,矫顽力大,剩磁也大,磁滞损耗也越大。在电器???备中这种损耗是十分有害的,必须尽量减小。 ;; 应用：由于当它在两个方向磁化后，剩磁总是处于±Br 这两个状态。所以，可用这两种状态来表示计算机二进制的两个数码“0”与“1”，用它来制成“记忆”元件，能起到记忆和存贮的作用。;内容回顾;顺磁质;dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiudsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiu dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8gen;56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm5638486