二极管三极管场效应管试题.docVIP

半导体器件测试题 一、填空 (40分 1、纯净的半导体称为 ,它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素,可形成 P 型半导体,又称 型半导体,其中多数载流子为 ,少数 载流子为 。 2、如图,这是 材料的二极管的 ____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, 即称为 电压。其中 稳压管一般工作在 区。 3、二极管的重要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通; 给二极管加 电压,二极管截止。 4、二极管的主要参数有 ________、 _________和 。 5、晶体三极管是 ___________控制器件。三极管按材料分为 _ 和 两种类型, 而每一种又有 和 两种结构形式。 6、三极管有放大作用的外部条件是发射结 ________,集电结 ______。工作在饱和区时 发射结 偏;集电结 偏。 7、三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作于 时, Ic=0;当三极 管工作于 区时, 关系式 Ic=βI b 才成立; 当三极管工作在 区时 0 Vce 。 8、三极管的电流分配关系是 。 9、场效应管是利用 10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的 下, 和 之间的关系。场应 管的输出特性曲线划分为 ________、 _________和 三个区。 二、判断题(14分 1、 ( 将 P 型半导体和 N 型半导体简单的接触并连在一起,就会形成 PN 结。 2、 ( P 型半导体带正电, N 型半导体带负电。 1 3、 (硅的导通电压为 0.3V ,锗的导通电压为 0.7V 。 4、 (二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 5、 (二极管只要加上了正向电压,就一定能导通。 6、 (三极管的中 ICEO 的值体现了温度稳定性,越大说明三极管热稳定性越高。 7、 (对于三极管来说,只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。 8、 (三极管可以用两个二极管来替代。 9、 (三极管有放大作用,把基极能量放大成集电极电流输出。 10、 (硅三极管比锗三极管稳定。 11、 (场效应管是电流控制型器件。 12、 (结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。 13、 (场效应管的跨导反映了△ V GS 对△ I D 的控制能力。 14、 (开启电压 V T 是耗尽型场效应管和重要参数。 三、选择题(26分 1、半导体的导电能力( 。 A. 与导体相同 B. 与绝缘体相同 C. 介乎导体和绝缘体之间 2、当温度升高时,半导体的导电能力将( 。 A. 增强 B .减弱 C. 不变 3、 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应( 。 A. 带正电 B. 带负电 C. 不带电 4、将 PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( 。 A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 5、电路如图所示 , 所有二极管均为理想元件,则 D 1、 D 2、 D 3的工作状态为( 。 A.D 1导通, D 2、 D 3截止 B.D 1、 D 2截止, D 3导通 C.D 1、 D 3截止, D 2导通 D.D 1、 D 2、 D 3均截止 + 2 3 6、二极管的死区电压随环境温度的升高而( 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 7、测 得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为 0V 、 0.7V 和 4.7V ,则该 管为( 。 A.NPN 型锗管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型硅管 D.PNP 型硅管 8、工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足( 。 A. 发射结正偏,集电结反偏 B. 发射结反偏,集电结正偏 C. 发射结、集电结均反偏 D. 发射结、集电结均正偏 9、某效应管的符号如图所示,则该场效应管应为( 。 A.P 沟道耗尽型 B.P 沟道增强型 C.N 沟道增强型 10、某场效应管的转移特性如图所示,则此场效应管为( 。 A. 绝缘栅 N 沟道耗尽型 B. 绝缘栅 P 沟道耗尽型 C. 绝缘栅 N 沟道增强型 D S G GS V / 11、在焊接场效应管时,电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接,其原因是( 。 A. 防止过热烧坏 B. 防止栅极感应电压过高而造成击穿 C. 防止漏、源极间造成短路 12、晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的 β , I CBO , U BE 的变化情况 A. β 增大, I CBO 和 U BE 减小 B. β 和 I CBO 增大, U BE 减小 C. β 和 U BE 减小, I CBO 增大 D. β , I CBO , U BE 都增大 四、分析计算题(22分 1、如图, V 1、 V 2为理想二极管。 分析 V 1 、 V 2状