第四章 场效应管(FET)及基本放大电路.docVIP

第四章 场效应管（FET）及基本放大电路 §4.1 知识点归纳 一、场效应管（FET）原理 ·FET分别为JFET和MOSFET两大类。每类都有两种沟道类型，而MOSFET又分为增强型和耗尽型（JFET属耗尽型），故共有6种类型FET（图4-1）。 ·JFET和MOSFET内部结构有较大差别，但内部的沟道电流都是多子漂移电流。一般情况下，该电流与、都有关。 ·沟道未夹断时，FET的D-S口等效为一个压控电阻（控制电阻的大小），沟道全夹断时，沟道电流为零；沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断，此时主要受控于，而影响较小。这就是FET放大偏置状态；部分夹断与未夹断的临界点为预夹断。 ·在预夹断点，与满足预夹断方程： 耗尽型FET的预夹断方程：（——夹断电压） 增强型FET的预夹断方程：（——开启电压） ·各种类型的FET，偏置在放大区（沟道部分夹断）的条件由表4-4总结。 表4-4 FET放大偏置时与应满足的关系 极 性 放大区条件 VDS N沟道管：正极性(VDS0) VDSVGS－VP(或VT)0 P沟道管：负极性(VDS0) VDSVGS－VP(或VT)0 VGS 结型管： 反极性 增强型MOS管：同极性 耗尽型MOS管：双极型 N沟道管：VGSVP(或VT) P沟道管：VGSVP(或VT) ·偏置在放大区的FET，~满足平方律关系： 耗尽型：（——零偏饱和漏电流） 增强型：* · FET输出特性曲线反映关系，该曲线将伏安平面分为可变电阻区（沟道未夹断），放大区（沟道部分夹断）和截止区（沟道全夹断）；FET转移特性曲线反映在放大区的关系（此时参变量影响很小），图4-17画出以漏极流向源极的沟道电流为参考方向的6种FET的转移特性曲线，这组曲线对表4-4是一个很好映证。 二、FET放大偏置电路 ·源极自给偏压电路（图4-18）。该电路仅适用于耗尽型FET。有一定稳Q的能力，求解该电路工作点的方法是解方程组： ·混合偏压电路（图4-20）。该电路能用于任何FET，在兼顾较大的工作电流时，稳Q的效果更好。求解该电路工作点的方法是解方程组： 以上两个偏置电路都不可能使FET全夹断，故应舍去方程解中使沟道全夹断的根。 三、FET小信号参数及模型 ·迭加在放大偏置工作点上的小信号间关系满足一个近似的线性模型（图4-22低频模型，图4-23高频模型）。 ·小信号模型中的跨导 反映信号对信号电流的控制。等于FET转移特性曲线上Q点的斜率。 的估算：耗尽管 增强管 ·小信号模型中的漏极内阻 是FET“沟道长度调效应”的反映，等于FET输出特性曲线Q点处的斜率的倒数。 四、基本组态FET小信号放大器指标 1．基本知识 ·FET有共源（CS）共漏（CD）和共栅（CG）三组放大组态。 ·CS和CD组态从栅极输入信号，其输入电阻由外电路偏置电阻决定，可以很大。 ·CS放大器在其工作点电流和负载电阻与一个CE放大器相同时，因其较小，可能较小，但其功率增益仍可能很大。 ·CD组态又称源极输出器，其。在三种FET组态中，CD组态输入电阻很大，而输出电阻较小，因此带能力较强。 ·由于FET的电压电流为平方关系，其非线性程度较BJT的指数关系弱。因此，FET放大器的小信号线性条件对幅度限制会远大于BJT线性放大时对的限制（5mV）。 2．CS、CD和CG组态小信号指标 由表4-6归纳总结。 表4-6 FET基本组态放大器小结 CS组态 CD组态 CG组态 简 化 交 流 通 路 AV 大，反相放大器 小于1，同相放大器 ( 条件：) 大，同相放大器 ∞，很大 ∞，很大 ，较小 (条件：) rds ，较大 ，较小 rds ，最大 AI 决定于RG ，AI1 决定于RG ，AI1 AI1 类似 CE放大器 CC放大器 CB放大器 §4.2 习题解答 4-1 图P4-1中的FET各工作在什么区？ （a） VP=-3V （b） VP=-5V （c） VP=4V 图P 4-1 （a）这是N-JFET。，沟道全夹断，FET处于截止区。 （b）这是N-JFET。，，沟道部分夹断，FET处于放大区。 （c）这是P-JFET。，，FET偏置在放大区。 4-2 若某P沟道JFET的IDSS=-6mA，VP=4V。画出该管的输出特性曲线；指出电阻区和恒流区以及它们的分界线（即预夹断轨迹）。 [解] 由原方律公式先画转移特性 图P4-2-1 转移特性曲线 图P4-2-2 输出特性曲线 4-3 一支P沟道耗尽型MOSFET的IDSS=—6mA VP=4V，另一支P沟道增强型MOSFET的VT=-4V.。试分别画出它们的输出特性曲线，标明电阻区和恒流区以及它们的分界线（即预夹断轨迹）。 [解] 曲线分别如图P4-3