经典电镀制程技术培训课件.pptVIP

銅球配製前清洗程序 1.配20ML/L雙氧水和20ML/L的硫酸浸泡5-10分鐘呈暗色 2.用純水沖洗乾淨放入鈦籃 錫球配製前處理程序 1.配10g/L NaOH 浸20分鐘 2.經鹼液處理后用清水沖洗 3.配5ML/L硫酸中和殘留鹼性,浸10-20分鐘 4.用純水洗凈后放入鋯籃. ICU IICU電流條件區別 鹼性蝕刻機從機體結構上大致可分為剝膜,蝕刻與剝錫三段 剝膜:去除多余銅面上覆蓋的干膜,使線路以外部分的銅面裸露出來 剝膜條件: 溫度 50±5 OC NaOH濃度 4±1% 蝕刻:去除線路以外部分多余的銅面(即一次銅),使線路在蝕刻阻劑錫鉛的保護下得以保留 蝕刻原理: Cu+Cu(NH3)42++2CL- 2Cu(NH3)2+ +2CL– 2Cu(NH3)2++2CL–+O2+4NH3 Cu(NH3)42++2CL– 新液洗條件 PH 9.5±0.25 蝕刻條件: CL- 190±20g/l Cu2+ 150±10g/l PH 8.2±0.3 比重 1.18~1.22 上噴壓力 1.8±0.3kg/cm2 下噴壓力 2.2±0.3 kg/cm2 溫度 48±2 OC 剝錫A藥液組成 A液: a氧化劑:用以將Sn/Pb氧化成SnO/PbO ｂ抗結劑：將PbO/SnO轉成可溶性結構,避免飽和沉澱 c抑制劑:防止A液咬蝕合金 B液:a氧化劑:用以咬蝕錫銅合金 b抗沉劑:防止金屬氧化物沉澱 c護銅劑:保護銅面防止氧化 測定A液有無剝錫效用,請先關掉B液試走板子,看板面呈透明 狀,表示還有藥效,若呈現黑色表示A液已無效用 錫銅合金剝除 Cu6Sn5 Cu++Sn+(溶解) Cu3Sn Cu++Sn+(溶解) 計算公式: 剝錫量(g/l)=鍍錫厚度*密度*鍍錫面積 Sn密度=7.29g/cm3 Pb密度=8.9g/cm3 Sn/Pb(60:40) 剝錫量:單液120g/l(140g/l) 雙液(A液)100g/l 雙液型剝錫液之優點 1.二步法完全剝除純錫鍍層和銅錫合金鍍層. 2.可解決鍍層分布不均勻引起的問題 3.不攻擊銅面及玻璃縴維底材 4.不產生沉淀 氧化 氧化 脫皮 產生根源:1.磨刷效果不佳,臟物、氧化、膠跡未除盡 2.微蝕不足結合力不好 3.板子在空氣中滴水時間過長氧化嚴重 處理方式:報廢 起泡 產生根源:1.無電銅液有問題 2.基板吸有藥液或水氣 處理方式:微蝕重工或報廢 銅渣 產生根源:1.銅球及PCB掉缸 2.陽極袋破損 3.鍍空掛 處理方式:1.孔內銅渣,用針挑出 2.板面銅渣,用砂紙打磨平整 3.以上兩種處理不好則報廢 板面不均 產生根源:1.銅面氧化后鍍銅 2.槽液受污染 處理方式:1.用砂帶研磨機研磨或手動砂紙打磨出貨 電鍍制程講解 目 錄 電鍍組織架構簡介 第一章:PTH工藝流程 第二章:ICU工藝流程 第三章:IICU工藝流程 第四章:蝕刻工藝流程 第五章:電鍍制程主要不良項目 第六章:電鍍工安注意事項 電鍍制程考核試題 通 孔電鍍 P . T . H . 鑽 孔 DRILLING 外 層 乾 膜 OUTERLAYER IMAGE 二次銅及錫鉛電鍍 PATTERN PLATING 檢 查 INSPECTION 前 處 理 PRELIMINARY TREATMENT 二次銅電鍍 PATTERN PLATING 蝕 銅 ETCHING 全板電鍍 PANEL PLATING 外 層 製 作 OUTER-LAYER O/L ETCHING 蝕 銅 TENTING PROCESS DESMER 除膠 渣 E-LESS CU 通孔電鍍 前 處 理 PRELIMINARY TREATMENT 剝 錫 鉛 T/L STRIPPING 去 膜 STRIPPING 壓 膜 LAMINATION 錫鉛電鍍 T/L PLATING