微电子器件复习题.docxVIP

一、填空题 1．突变 PN 结低掺杂侧的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越 小 ，内建电场的 最大值越 大 ，内建电势 Vbi 就越 大 ，反向饱和电流 I0 就越 小 ， 势垒电容 CT 就越 大 ，雪崩击穿电压就越 小 。 P27 2．在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带 负 电荷， N 区一侧带 正 电 荷。内建电场的方向是从 N 区指向 P 区。 3．当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为 。由此方程可以看出，掺 杂浓度越高，则内建电场的斜率越 大 。 4．若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 NA 1.5 1018 cm 3 ，则室温下该区的平 衡多子浓度 pp0 与平衡少子浓度 np0 分别为 和 。 5 ．某硅突变 PN 结的 ND 1.5 15 3 1018 cm 3 ，则室温下 10 cm ，NA 1.5 nn0 、pn0 、pp0 和 np0 的分别为 、 、 和 ， 当外加 0.5V 正向电压时的 np ( xp ) 和 pn (xn ) 分别为 、 ，内建 电势为 。 6．当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓 度 大 ；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处 的平衡少子浓度 小 。 7． PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是 多子