固体物理第四章4.5.pptVIP

4.5 离子晶体的热缺陷在外场中的迁移 离子晶体的结构特点： 正、负离子相间排列在格点上，每个离子均被配位数相等的异号离子所包围。无论是形成正、负离子空位，还是形成正、负填隙离子，都会在缺陷处形成正的或负的带电中心。 A+B-型离子晶体中共有4种带电的本征缺陷 正电中心的点缺陷：负离子空位和正填隙离子； 负电中心的点缺陷：正离子空位和负填隙离子。 因为整个晶体保持电中性，这就限定在离子晶体中，对肖特基缺陷应有数目相同的正、负离子空位，而对夫伦克尔缺陷，则应有数目相同的正离子空位和正填隙原子，以及数目相同的负离子空位和负填隙离子。 典型的A＋B－离子晶体 离子晶体中的缺陷 晶体中有四种缺陷：A＋空位， A＋填隙离子， B－空位， B－填隙离子 A＋空位周围都为负离子， B－空位周围都是正离子，空位的位移实际是相邻离子的位移。即由于原来晶体是电中性的，格点失去一个离子而成为空位，结果是使该处多了一个相反的电荷。所以A＋空位相当于负电荷， B－空位相当于正电荷。 A＋填隙离子 B－填隙离子 + + + + _ _ + + + _ _ + + _ _ _ + + + _ _ + _ _ _ B－空位 A＋空位 设Ci、Vi分别代表第i种热缺陷的浓度和漂移速度，则四种缺陷总的电流密度