第3章通信用光器件-精选课件(公开).ppt

现代通信技术研究所 殷洪玺 3.1 光源 3.2 光检测器 3.3 光无源器件 3.3.2 光耦合器 耦合器的功能是把一个输入的光信号分配给多个输出， 或把多个输入的光信号组合成一个输出。 1. 耦合器类型 T形耦合器 星形耦合器 定向耦合器 波分复用器/解复用器 T 形 … … 星形 定向 2 3 1 4 … l 1 l 2 l N l 1 ＋ l 2 ＋ l N 波分 N ? M 实用的耦合器有光纤型、微器件型和波导型。 2. 基本结构的分类 (1) 光纤型：把两根或多根光纤排列，用熔拉双锥技术制作各种器件。 (a)单模2?2定向耦合器 (b) 8×8星形耦合器 (c) 由12个2×2耦合器组成的8×8星形耦合器 图3.29(a)所示定向耦合器可以制成波分复用/解复用器。 如图，光纤a(直通臂)传输的输出光功率为Pa，光纤b(耦合臂)的输出光功率为Pb，根据耦合理论得到 Pa=cos2(C?L) (3.28a) Pb=sin2(C?L) (3.28b) 光功率 ?1, ?2 b a ?1 ?2 a b 耦合长度 ?2 ?1 式中，L为耦合器有效作用长度，C?为取决于光纤参数和光波长的耦合系数。 设特定波长为?1 和?2，选择光纤参数，调整有效作用长度，使得 当光纤a的输出Pa(?1)最大时，光纤b的输出Pb(?1)=0； 当Pa(?2)=0时，Pb(?2)最大。 对于?1和?2分别为1.3?m和1.55 ?m的光纤型解复用器，可以做到附加损耗为0.5 dB，波长隔离度大于20 dB。 (2) 微器件型 用自聚焦透镜和分光片(光部分透射， 部分反射)、滤光片(一个波长的光透射，另一个波长的光反射)或光栅(不同波长的光有不同反射方向)等微光学器件构成，如图3.31所示。 光电二极管通常要施加适当的反向偏压，目的是增加耗尽层的宽度，缩小耗尽层两侧中性区的宽度，从而减小光生电流中的扩散分量。 由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多，所以，减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压，加宽耗尽层，又会增加载流子漂移的渡越时间， 使响应速度减慢。 为了解决这一矛盾， 就需要改进PN结光电二极管的结构。 空穴 电子 光 耗尽层 导带 价带 P N ? + 反偏压 加反向偏压后的能带 3.2.2 PIN 光电二极管 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。 为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为 I )，这种结构便是常用的PIN光电二极管。 PIN PD的工作原理 中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征半导体，用Π(n)表示；两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，用P+和N+表示。 I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子 - 空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。 两侧的P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。 另外，可通过控制耗尽层的宽度w，来改变器件的响应速度。 图3. 21 PIN光电二极管的结构 (3.13) (3.14) PIN光电二极管具有如下主要特性： 响应度的定义为一次光生电流Ip 和入射光功率P0 的比值 (1) 量子效率和光谱特性。 光电转换效率用量子效率? 或响应度? 表示。量子效率? 的定义为相同时间内一次光生电子?空穴对和入射光子数的比值 式中， hf 为光子能量， e为电子电荷。 式中，?(?)和w分别为I 层的吸收系数和厚度。可看出，当?(?)w1时，? →1，所以, 为提高量子效率? ，I 层的厚度w 要足够大。 ①量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。 假设器件表面反射率为零，P层和N层对量子效率的贡献可以忽略， 在工作电压下，I 层全部耗尽，那么，PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为 (3.15) ② 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱?(?) ，对长波长的限制，由式(3.6)确定，即 (3.6) 图3.22示出了量子效率? 和响应度? 的光谱特性，由图可见，Si 适用于0.8~0.9?m波段，Ge 和InGaAs 适用于1.3~1.6 ?m波段。响应度一般为0.5~0.6 (A/W)。 图3-22