第四节半导体结型光电器件-精选课件(公开).pptVIP

二、硅光电池 PIN光电管简介： PIN光电二极管又称快速光电二极管, 原理上也是基于P-Ｎ结的光电效应。 i层——高阻本征区，约10μｍ厚； SiO2 层——透光区，镀增透膜； 电极——欧姆接触； 四．特殊光电二极管 （一）PIN型光电二极管： (1)结构： ①提高了PIN管的频率响应，tr=1~3ns. ③提高了长波的响应灵敏度,波长范围0.4~1.1μm,工作层增加了 对长波的吸收； (2) Ｉ层的作用： ④线性范围变宽: ②量子效率提高,灵敏度增大: 因有较厚的i层，P-N结的内电场就基本上全集中于i层，P-N结间距拉大，结电容变小，随着反偏电压的增大，结电容变的更小； C ∝S/d τ =RC 耗尽层厚度增加, 增大了光电转换的工作区域； i层较厚,可承受较高的偏压,工作电压范围增大。 是一种具有雪崩倍增效应的高速半导体光敏器件。 电流增益：102~103 灵敏度： λ=0.7μm SI=100A/W 响应时间: tr=0.5ns 截止频率: f=100GHz 噪声等效功率: NEP=10-15 W 应用领域: 光纤通讯、弱信号检测、激光测距、星球