半导体材料和工艺之晶体生长原理.pptVIP

5.形核率（rate of nucleation）， 单位时间、单位体积中所形成的晶核数目——形核率用N（晶核数目/s.cm3 ) 。形核率受两个方面因素的控制： 是随着ΔT的增加，自由能差的增大，晶核的临界半径和形核功都随之减小，结果使晶核易于形成，形核率增加； 增加液态金属的ΔT，就势必降低原子的扩散能力，结果给形核造成困难，使形核率减少。 形核率可用下式表示：N=N1×N2 式中N1 为受形核功影响的形核率因子，N2受原子扩散能力影响的形核率因子。 从理论上，形核率随ΔT的增加有一个最大值。在开始阶段是自由能差的增大起主要作用，使形核率增加。后一阶段是扩散系数的降低起主要作用，使形核率降低。 8.1.2.1 均匀形核 但在实际的结晶条件下，对于纯金属，在到达一定的过冷度之前，液态金属中基本上不形核，一旦温度降至某一温度时，形核率急剧增加，一般将这一温度称为有效成核温度。由于一般金属的晶体结构简单，凝固倾向大，形核率在到达曲线的极大值之前即已凝固完毕。但是如果采用极快速的冷却技术，例如使冷却速度大于106 ℃／s，那么就可使液态金属过冷至远远超过其极大值，到达形核率为零的温度，这时的液态金属没有形核，即得到金属玻璃。 1.临界晶核半径和形核功 8.1.2.2 非均匀形核 Figure A solid forming on an impurity can assumed the critical radius with a smaller increase in the surface energy. Thus, heterogeneous nucleation can occur with relatively low undercoolings 若θ=0 ，则 ΔG*=0，相当于在基底上平面长大；若θ=90° ，ΔG*=1/2ΔG ，非均匀晶核是半球形。若θ=180° ，ΔG*=ΔG，相当于均匀形核。可见，θ越小，形核功越小。 8.1.2.2 非均匀形核 2. 基底固体杂质结构的影响 要减小θ以利于形核，就要降低σSB 。 σSB减小的条件，一是基底结构与金属晶体结构完全相同，或某些晶面的原子排列完全相同。二是其晶格常数相同或成整数倍。即所谓“结构相似，尺寸相当”，这就是非均匀形核的点阵匹配原理。此外，基底熔点应该高于金属晶体。符合此条件的介质，被称为活性介质。 例如，Mg属于HCP，a=0.3223nm , c=0.5123nm，Tm=659℃ ,锆也属于HCP，a=0.32022nm , c=0.51991nm，Tm=1855℃ ，故在镁中加入少量锆，可以大大促进镁的非均匀形核。这种工艺叫变质处理。 8.1.2.2 非均匀形核 * 3. 基底固体杂质形貌的影响 在不同基底上，同样rc 和θ 的不同晶核形状。可见，凸面基底的晶核体积较大，故而形核功大；凹面基底的晶核体积较小，所以形核功也较小。故在型壁的微小裂缝或小孔、凹坑处，最易首先结晶。 4.过热度的影响 过热度是指金属熔点与液态金属温度之差。当过热度不大时，可能不使现成质点的表面状态有所改变，这对非均匀形核没有影响。当过热度较大时，有些质点的表面状态改变了，如质点内微裂缝及小孔减少，凹曲面变为平面，使非均匀形核的核心数目减少；当过热度很大时，将使固态杂质质点全部熔化，这就使非均匀形核转变为均匀形核，形核率大大降低。 8.1.2.2 非均匀形核 光滑界面(Smooth interface) 原子尺度内，固液界面呈光滑平整的界面。该界面两则的固液两相是截然分开的，即所有的原子都位于结晶相晶体结构所规定的位置上。 从显微尺度来看，光滑界面呈参差不齐的锯齿状，为小平面界面。 晶体表面为基本完整的固相原子密排晶面，此时，其界面能较小，界面较稳定。 非金属、类金属、半导体及化合物，多属此类。 8.1.3.1 晶体的长大机理 Section 8.1.3晶体的长大（Growth） (a)光滑界面 (b)粗糙界面 固液界面的微观结构 粗糙界面(Rough interface) 指原子尺度内，固液界面大约有一半位置被固相原子占据的界面。在此固液界面上，存在着厚度为几个原子间距的过渡层。在过渡层中，液相与固相的原子犬牙交错分布，又称为非小平面界面。此时，其界面能较小，界面较稳定。 从显微尺度观察时，粗糙界面是平整的。典型的金属结晶时，固相表面多是如此。 少数材料如Be,Sb,Ge,Ga,Si等，其固液界面常属于混合型情况，比较复杂。 1.粗糙界面的晶体长大机理—垂直长大 这类晶体，表面层约有一半位置被固相原子占据，还有一半空位。所以表面有无数凸凹不平的原子台阶。晶体的长大，依靠液相中单个原子向表面空位填充附着的方式进