无机材料的物理性质(1)-2012.pptVIP

第二部分无机材料的物理性质 无机材料的光学性质 无机材料的电学性质 无机材料的磁学性质 一 电学性质 能带结构 半导体 超导体 介电质 离子导电材料 一 电学性质 金属导电率σ： 103－105 Ω-1 cm-1 半导体导电率σ： 10-5－103 Ω-1 cm-1 绝缘体导电率σ： 10-5 Ω-1 cm-1 超导体： 在较低的温度下，电阻为零 电导率公式： σ ＝ n e μ n —— 载流子的数目 e —— 载流子的电荷 μ—— 载流子的迁移率 温度对载流子的影响 金属：载流子数目大，且基本上不随温度变化，导电率随温度上升呈现微小而缓慢的下降； 半导体和绝缘体：载流子数目常随温度按指数规律增加，大多数半导体与绝缘体的导电率随温度增加而迅速增加。 能带结构特征 金属：价带部分充满，有些金属价带和导带重叠。 绝缘体：价带充满，导带全空，禁带宽。 半导体：能带结构类似于绝缘体，但禁带较小（0.5－3.0 eV）。 （二）半导体  1. 本征半导体 价带上的电子借助于热、电、磁等方式激发到导带叫本征激发。本征半导体就是指满足本征激发的半导体。 本征半导体是纯物质（杂质浓度小于10-6） 常见本征半导体：Si、Ge GaAs、GaP、GaN、InP ZnS、ZnSe、CdS、CdSe 1. 本征半导体 部分本征半导体材料的禁带宽度 常见半导体材料 Eg / 300 K (eV) Si 1.12 Ge 0.67 GaAs 1.43 InP 1.35 2. 非本征半导体 利用杂质元素掺入纯元素中，把电子从杂质能级激发到导带上或把电子从价带激发到杂质能级上，叫非本征激发或杂质激发。 导电率受掺杂剂控制（掺杂浓度为10-4-10-3） n型和 p型非本征半导体材料 2. 非本征半导体 n型半导体：在硅中掺入一定量的磷、砷等第V主族元素。 p型半导体：在硅中掺杂一定量的铝、镓等第III主族元素。 （3）p-n结 n型半导体与 p型半导体接触，可以形成p-n结。 p-n结是半导体器件和微电子技术的基础。 （三）超导性  1. 超导与诺贝尔奖 1972年诺贝尔物理学奖——超导电性BCS理论 1972年诺贝尔物理学奖授予美国伊利诺斯大学的巴丁（John Bardeen，1908—1991）、美国布朗大学的库珀（Leon N.Cooper，1930—）和美国宾夕法尼亚大学的施里弗（John Robert Schrieffer，1931—），表彰他们合作发展了通常称为BCS理论的超导电性理论。 1973年诺贝尔物理学奖----隧道现象和约瑟夫森效应的发现 1973年年诺贝尔物理学奖一半授予美国IBM的江崎玲於奈（Leo Esaki,1925-- ），美国通用电气公司的贾埃沃（Ivar Giaever,1929-- ）, 表彰他们在有关半导体和超导体中的隧道现象的实验发现；另一半授予英国剑桥大学的约瑟夫森（Brian Josephson,1940-- ），表彰他对穿过隧道壁垒的超导电流所作的理论预言，特别是关于普遍称为约瑟夫森效应的那些现象。 1987年诺贝尔物理学奖----高温超导电性 2003年诺贝尔物理学奖——超导体和超流体理论 2. 超导体的基本性质 （1） 零电阻效应 在超导转变温度下，材料的电阻发生突变，超导状态的电阻为零。 2. 超导体的基本性质 BCS理论对超导现象的解释： 在超导体中，电子一对对结合成 “库珀对”，每一对都以单个粒子的形式存在。这些粒子抱成一团流动，不顾及金属离子的阻力，好像是液体一样在流动。 2. 超导体的基本性质 2. 超导体的基本性质 2. 超导体的基本性质 2. 超导体的基本性质 迈斯纳效应解释： 处