光电子材料 4 第四章 信息传感材料.ppt

* * 指对磁场敏感并具有电磁效应的一类传感材料，包括半导体磁敏电阻、霍尔传感器、强磁性薄膜磁敏电阻和磁敏晶体管等。 5. 磁敏传感材料 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。可用于位移、压力、角度等传感。 霍尔传感器 * * 将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通入电流I，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。 * * 磁敏二极管 磁敏晶体管是PN结型磁电转换元件，具有输出信号大、灵敏度高、工作电流小、体积小等特点。 磁敏二极管结构示意图 高纯本征半导体Ge两端形成P型区和N型区，中间本征区的一个侧面磨成光滑的复合表面（为I区），另一侧面打毛，设置成高复合区（为r区），电子空穴对易于在粗糙表面复合而消失。 * * 磁敏二极管工作原理示意图 PIN结外加正偏压： 不加外磁场，空穴从P区到N区，电子从N区到P区形成电流 加正向磁场，电子和空穴向r区偏转，并在r区复合，电流减 小； 加反向磁场，电子和空穴向I区偏转，复合减小，电流变大。 * * 磁敏三极管结构示意图 磁敏三极管 在弱P型或弱N型本征半导体上形成发射极、基极和集电极。其最大特点是基区较长，也有高复合速率的r区和本征I区。 * * 磁敏三极管工作原理示意图 基区宽度大于载流子有效扩散长度 不加外磁场，大部分载流子通过e极－I区－b极形成基极电流，少数载流子输入到c极。基极电流大于集电极电流； 加正向磁场，洛仑兹力使载流子偏向发射结的一侧，导致集电极电流明显下降； 加反向磁场，洛仑兹力使载流子偏向集电结的一侧，导致集电极电流明显增大。 用于测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量。 * * 气体与人类日常生活密切相关，对气体的检测已经是保护和改善生态居住环境不可缺少手段，气敏传感器发挥着极其重要的作用。 如生活环境中一氧化碳浓度达0.8～1.15 ml/L时，就会出现呼吸急促，脉搏加快，甚至晕厥。还有易燃、易爆气体、酒精等的探测。 烟雾报警器 酒精传感器 二氧化碳传感器 6. 气敏传感材料 * * 指对气体敏感，材料电阻值会随外界气体种类和含量而发生变化的一类敏感材料。 项目 主要物理特性 类型 气敏材料 工作温度/℃ 主要检测气体 电阻式 表面控制型 SnO2、ZnO等的烧结体、薄膜、厚膜 室温～450 可燃性气体 电阻 体控制型 La1-xSrxCoO3、γ-Fe2O3、TiO2烧结体、MgO、SnO2 300～450以上 700以上 酒精、可燃性气体、O2 非电阻式 二极管整流特性 表面控制型 Pt-CdS、Pt-TiO2（金属半导体结型二极管） 室温～200 H2、CO、酒精 晶体管特性 表面控制型 Pb-MOSFET 150 H2、H2S 半导体气敏材料分类： * * 半导体气敏传感器的机理 半导体气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。当半导体器件被加热到稳定状态，在气体接触半导体表面而被吸附时，被吸附的分子首先在表面物性自由扩散，失去其运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处（化学吸附）。 当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时，吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，半导体表面呈现电荷层。例如氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。 如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能，吸附分子将向器件释放出电子，而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化合物和醇类，它们被称为还原型气体或电子供给性气体。 * * 当氧化型气体吸附到N型半导体上，还原型气体吸附到P型半导体上时，将使半导体载流子减少，而使电阻值增大。 当还原型气体吸附到N型半导体上，氧化型气体吸附到P型半导体上时，则载流子增多，使半导体电阻值下降。 由于空气中的含氧量大体上是恒定的， 因此氧的吸附量也是恒定的，器件阻值也相对固定。若气体浓度发生变化，其阻值也将变化。根据这一特性，可以从阻值的变化得知吸附气体的种类和浓度。半导体气敏时间(响应时间)一般不超过1min。 N型材料有SnO2、ZnO、TiO2等