一种新结构IGBT_内透明集电极IGBT的仿真.docVIP

第29卷　第2期2008年2月 半　导　体　学　报 J OU RNAL O F S EMICOND U C TO RS V ol. 29　N o. 2 Feb. ,2008 3国家自然科学基金资助项目(批准号通信作者. Email :whelly777@163.com 　2007208203收到,2007209204定稿 Ζ2008中国电子学会 一种新结构IGBT ———内透明集电极IGBT 的仿真 3 王　浩 　胡冬青　吴　郁　周文定　亢宝位 (北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京　100022 摘要:对新近提出的一种新结构的I GB T ———内透明集电极I GB T 进行了器件性能的仿真. 这种I GB T 是在传统非透明集电极I GB T 结构基础上, 通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法, 使器件在物理上实现了集电极对电子的透明, 同时又避免了低压透明集电极I GB T 制造过程中超薄片操作的技术难题. 对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究, 并与现行P T 2I GB T 和FS 2I GB T 进行了比较. 仿真结果表明, 通过合理调整内透明集电极I GB T 的参数组合, 可以使其在具有通态压降正温度系数的同时, 又具有较快的关断速度, 实现透明集电极I GB T 的优良性能. 关键词:内透明集电极; P T 2I GB T ; N P T 2I GB T ; 高复合层EEACC :2560 中图分类号:TN323+14　　　文献标识码:A 　　　文章编号:025324177(2008 022034821　引言 当前, , 高达几千伏, T (d gate bip ola r t ra nsist or 速度, , 又能承受高电压, 因此成为电力电子应用领域的主流器件. 从上世纪80年代初I GB T 出现以后[1], 平面栅I G 2B T 大致经历了三代技术:上世纪80年代初的穿通型I GB T (p unch 2t hrough I GB T , P T 2I GB T , 1988年的非穿通型I GB T (non 2p unc h 2t hrough I GB T , N P T 2I G 2 B T [2] ,2000年的电场终止型I GB T (f ield 2st op I GB T , FS 2I GB T [3] . 穿通与非穿通是指:在击穿电压下, 耗尽层是否穿通n -漂移区(耐压层 . 但三者的根本区别不在于此, 而在于提高器件开关速度的手段不同. P T 2I G 2 B T 以p + 单晶为起始材料, 耐压层通过外延获得. 以衬底为集电区(背发射区 , 具有厚度大、掺杂浓度高等特点. 器件导通状态时,p np 晶体管的空穴发射效率高, n -区电导调制效应显著, 产生大量电子空穴对. 器件关断过程中, 由于集电区很厚, 电子不能被有效抽出, 过剩载流子仅靠复合消失, 因此开关时间长, 开关损耗大. 为提高关断速度, P T 2I GB T 采用电子辐照在n -漂移区产生大量复合中心, 大幅降低其中的载流子寿命, 加快I G 2 B T 关断时n -区中电子、空穴的就地复合. 但受过辐照 后的n -漂移区使器件特性有两个重要缺陷:一是高温下关断时间和关断损耗显著增加; 二是饱和电压V CEsat 有负温度系数, 即饱和电流正温度系数. 这使器件不利于高温工作和并联应用[4]. 与此不同, N P T 2I GB T 和FS 2I GB T 以n -硅单晶为起始材料, 集电区通过注入形成. 它的特点是集电区被 . 当器件关断 , , 对电子几乎是透, 集电区并从集电极流出, 实现器件快速关断(此即所谓的透明集电极技术 . 因此, 漂移区载流子寿命可以尽量高, 器件具有饱和电压正温度系数, 且关断时间随温度增加较少. 但对于低压的I GB T 来说, 以600V I GB T 为 例, 当Si 片减薄到70～80 μm 之后, 还要经过离子注入背面p + 集电区以及多次清洗、退火、金属化淀积、合金等工艺步骤, 要想保证Si 片不碎片、不翘曲、低缺陷, 从而实现较高的成品率, 这具有极高的技术难度. 综上所述, 对常用的600～1200V 类I GB T , 现行两种制造工艺都不理想. P T 2I GB T 制造工艺简单, 但器件存在重大的性能缺陷, N P T 2I GB T 和FS 2I GB T 性能优越, 但加工难度大. 为了兼顾P T 2I GB T 的加工低难度和透明集电极I GB T 的优良性能, 本文作者新近提出了内透明集电极I GB T (i nte r nal t ra nsp a re nt collect or I G