《第四章 一维纳米材料》.pptVIP

第四章 一维纳米材料;一维纳米结构单元主要包括纳米管、纳米线、纳米带、纳米同轴电缆等。;从基础研究的角度看，一维纳米材料是研究电子传输行为和光学、磁学等物理性质和尺寸、维度间关系的理想体系；从应用前景上看，一维纳米材料特定的几何形态将在构筑纳米电子、光学器件方面充当重要的角色。;主要内容;4.1. 一维纳米材料的合成制备 4.2. 一维半导体纳米线的物性 4.3. 碳纳米管;4.1.1 气相法制备 1. 气相生长理论 (1) 气－液－固（VLS)生长 (2) 气－固生长（VS) (3) 自催化气－液－固生长（self-catalytic VLS) 2. 纳米线异质结(超晶格)的合成 ;?Shyne和Milewski在20世纪60年代提出了晶须生长的VLS机理，并第一次被Wagner和Ellis成功地应用于β-SiC晶须的合成。 ?２０世纪９０年代，美国哈佛大学的M．C．Lieber和伯克利大学P．D．Yang以及其他的研究者借鉴这种晶须生长的VLS法来制备一维纳米材料。 ?现在VLS法已广泛用来制备各种无机材料的纳米线，包括元素半导体(Si，Ge），III-V族半导体(GaN，GaAs，GaP，InP，InAs)，II－VI族半导体(ZnS，ZnSe，CdS，CdSe），以及氧化物(ZnO，Ga2O3，SiO2)等。下面我们结合图4-2来说明什么是VLS生长。;所谓VLS生长，是指气相反应系统中存在纳米线产物的气相基元(B)(原子、离子、分子及其团簇)和含量较少的金属催化剂基元(A),产物气相基元(B)和催化剂气相基元(A)通过碰撞、集聚形成合金团簇，达到一定尺寸后形成液相生核核心(简称液滴)合金液滴的存在使得气相基元(B)不断溶入其中从图4-2(b)相图上看，意味着合金液滴成分[不断向右移动]，当熔体达到过饱和状态时(即成分移到超过c点时)，合金液滴中即析出晶体(B)。析出晶体后的液滴成分又回到欠饱和状态，通过继续吸收气相基元(B),可使晶体再析出生长。如此反复，在液滴的约束下,可形成一维结构的晶体(B)纳米线。;在VLS法中，纳米线生长所需的蒸气（气相）既可由物理技术方法获得，也可由化学技术方法来实现。由此派生出一些名称各异的纳米线制备方法，物理技术方法有激光烧蚀法(Laser Ablation)、热蒸发(Thermal Evaporation)等；化学方法有化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition-CVD)、金属有机化合物气相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy-MOVPE)以及化学气相传输法(Chemical Vapor Transport)等等。 MOCVD?;１）激光烧蚀法;２）化学气相沉积法;“气 －固” 生长机理是人们研究晶须(whisker) 生长提出的一种生长机理。该生长机理认为晶须的生长需要满足两个条件：①轴向螺旋位错：晶须的形成是晶核内含有的螺旋位错延伸的结果，它决定了晶须快速生长的方向；②防止晶须侧面成核：首先晶须的侧面应该是低能面，这样，从其周围气相中吸附在低能面上的气相原子其结合能低、解析率高，生长会非常缓慢。此外，晶须侧面附近气相的过饱和度必须足够低，以防止造成侧面上形成二维晶核，引起径向（横向） 生长。;(3) 自催化气－液－固生长（self-catalytic VLS);?纯SnO粉作为热蒸发的原料，刚玉管腔内热蒸发，680?C； ?产物中有大量SnO2，一端有Sn颗粒；VLS ?SnO在高于300?C的温度下分解，并产生低熔点的Sn（231.9?C）。【In：156.61?C； Ga：29.78?C】 ?Sn吸附气相分子SnO和O2生成SnO2，可能部分分解，过饱和的SnO2析出，在Sn液滴的软模板（soft template）的限制下生长成SnO2纳米线。;In2O3:Sn, Sn: 4-9 atm.%, ITO: Indium Tin Oxide: TCO: Transparent Conductive Oxide.;2. 纳米线异质结(超晶格)的合成;EDS (Energy dispersive X-ray spectroscopy) 能谱;4.1.2 液相法制备;1. “毒化”晶面控制生长;?被PVP覆盖的某些晶面其生长速率将会大大减小，如此导致Ag纳米晶的高度各向异性生长，使纳米Ag颗粒逐渐生长Ag纳米线。如果PVP的浓度太高，Ag纳米粒子的所有晶面都可能被PVP覆盖，这样就会丧失各向异性生长，得到的主要产物将是Ag纳米颗粒，而不是一维Ag纳米线。;Organic-capped Anatase TiO2 nanorods P. D. Cozzili, A. Korowski, H. Weller, J. Am. Ch