《第三章 晶体缺陷-上海交大 材料科学基础》.ppt

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晶体结构小结;理想金属;第三章 晶体缺陷 Crystal Defects or Imperfections;实际金属材料几乎都是多晶体,即由许多彼此方位不同、外形不规则的小晶体(单晶体)组成,这些小晶体称为晶粒 grains。;单晶体和多晶体的区别;沿晶断口;缺陷的分类:根据缺陷的几何特征;3.1 点缺陷 Point defects;1. Formations of point defects;Classifications of vacancies;B. 间隙原子 interstitial atoms;小置换原子;点缺陷破坏了原子的平衡状态,使晶格发生扭曲,称晶格畸变。 ?从而使强度、硬度提高,塑性、韧性下降;电阻升高,密度减小等??;由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷(thermal equilibrium defects),这是晶体内原子热运动的内部条件决定的。;点缺陷的存在; 恒温下,系统的自由能 ? 其中U为内能,S为总熵值(包括组态熵Sc和振动熵Sf),T为绝对温度 设由N个原子组成的晶体中含有n个空位,形成一个空位所需能量为Ev,当含有n个空位时,其内能增加为ΔU=n*Ev,组态熵的改变为ΔSc,振动熵的改变为n*ΔSf,自由能的变化为;平衡时自由能最小,即对T求导,即 则空位在T温度时的空位平衡浓度C为: ? 其中, k为波尔兹曼常数(1.38x10-23 J/K或8.62x10-5 eV/K) 类似地,间隙原子平衡浓度C’ : ? ;Example;一般,晶体中间隙原子的形成能比空位的形成能大3-4倍,间隙原子的量与空位相比可以忽略。 例如, Cu的空位形成能为1.7*10-19J,间隙原子的形成能为4.8*10-19J,在1273K时,空位的平衡浓度C~10-4,间隙原子的C’~10-14, C/C’ ~ 1010。所以间隙原子可忽略不计。 1eV~100 kJ/mol;3. 点缺陷的运动; 点缺陷的运动产生的影响: 晶体中的原子正是由于空位和间隙原子不断的产生和复合,才不停地由一处向另一处作无规则的布朗运动,这就是晶体中原子的自扩散。它是固态相变、表面化学热处理、蠕变、烧结的基础。 晶体性能的变化:体积、光学、磁性、导电性等改变。 如体积膨胀、密度降低等;3.2 线缺陷 Linear defects;位错 Dislocations;位错(Dislocation)理论的发展;3.2.1. 位错的基本类型和特征;A. 刃型位错 edge dislocation;刃型位错的特点:;C. 滑移面是同时包括位错线和滑移 矢量的平面,刃型位错的位错线和滑移矢量互相垂直,一个刃型位错所构成的滑移面只有一个; D. 位错的存在使得位错周围的点阵发生弹性畸变,即有切应变,又有正应变。对正刃型位错而言,位错线上、下部临近范围内原子受到压应力、拉应力, 离位错线较远处原子排列恢复正常。 E. 在位错线周围的畸变区内,每个原子具有较大的平均能量。这个区域只有几个原子间距宽,是狭长的管道,所以刃型位错是线缺陷。;电子显微镜下的位错;点缺陷;刃型位错的特点:;B. 螺型位错 screw dislocation;螺型位错的特点:;C. 螺型位错的位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线;位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直; D. 纯螺型位错的滑移面不是唯一的;凡包含位错线的平面都可作为滑移面;一般,位错在原子密排面上进行; E. 螺型位错周围的点阵发生弹性畸变,只有平行于位错线的切应变,无正应变,所以不会引起体积膨胀和收缩。 F. 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少,故也是几个原子宽度的线缺陷。;C. 混合位错 mixed dislocation;A. 混合位错线是一条曲线; B. 位错线不能终止于晶体内部,而只能露头于晶体表面(晶界); C. 位错线若终止于晶体内部,则必与其他位错线相连接,或形成封闭的位错环。;位错环;3.2.2. 伯氏矢量 Burgers vector;1. 伯氏矢量的确定:伯氏回路;M;混合位错;2 伯氏矢量的特性;如果几条位错线在晶体内部相交(交点称为节点),则指向节点的各位错的伯氏矢量之和,必然等于离开节点的各位错的伯氏矢量之和 。 若各位错的方向都指向节点或者离开节点,则伯氏矢量之和恒为0。;3 伯氏矢量的表示法;Example A dislocation loop ABCD in the slipping plane with Burgers vector b is produced by an applied stress t. Please determine the types of the dislocat

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