PCB线路板影像转移制程详解.pptVIP

5.壓膜制程異常說明(僅針對壓膜製程做說明) 二.D.E.S(DEVELOPIG.ETCHING.STRIPPING) 1.定義: 指顯影.蝕刻.去膜,圖像轉移後最終形成線路圖形. 顯影是把尚未發生聚合反應的區域上的油墨（干膜）用顯影液沖去，已感光（發生聚合反應）的部分留為蝕刻之阻劑膜，其原理為利用顯影液之含弱鹼性分子與阻劑的含酸分子進行酸鹼中合反應，發生聚合反應的油墨（干膜）不再與鹼性物質發生反應得以保留在板面上。 蝕刻就是祼露部分的銅跟蝕刻液發生化學反應被去除的過程，通常此過程保留下來的就是我們所需要的線路部分。 去膜利用去膜液之含強鹼性分子與阻劑的含酸分子進行酸鹼中和反應，打斷聚合反應的分子鍵使其剝落。 2.藥水成份及濃度: 顯顥:Na2co3 參數設定:濃度:1.0% +/-0.1% 溫度：30+/-2℃ 蝕刻:氯化銅（Cucl2）. 氯酸鈉(Naclo3) . 鹽酸(Hcl). 參數設定:溫度:50+/-2℃ 去膜: NaOH: 3.0%+/-0.5% 參數設定:溫度:50+/-5℃ Development顯影 Elements of Development Control顯影時須控制的三要素 Carbonate Concentration 碳酸鈉濃度 Solution Temperature 槽液的溫度 Solution Dwell Time 顯影時間 Exposure/Development Schematic曝光及顯影示意圖 Not To Scale During Exposure (Polymerization) hv (light) hv hv emulsion of the phototool MYLAR? coversheet photoresist copper drilled hole to be tented (protected) tooling hole to be developed polymerized photoresist tent polymerized photoresist line clean (developed) space between polymerized photoresist line tented hole cleaned (developed) tooling hole copper isolated developed photoresist trace hv After Development Other Forms of Overdeveloped Sidewalls顯影過度的乾膜側壁 Proper Fan Spray Pattern 扇形噴嘴的排列方式 Use of Cone Nozzles 圓錐形噴嘴的排列方式 Poor coverage Good coverage Spray Impact / Pattern噴嘴阻塞之示意圖 Excessive Resist Foot 因噴壓低所造成之乾膜側壁 3.製程能力檢測 顯顥點測試(Break point): 標准:35~45%(濕膜) 50-60%(幹膜) 測試目的:測試顯影速度 測試方法:取正常壓膜后但未曝光的板子連續不斷地的過顯影，使其填滿整個顯影段，停止噴洒,投板處到完全呈現出圖形後的距離為顯影點。 顯影槽 A C B 顯影點=AC/AB Etching蝕刻 3.製程能力檢測 3.1蝕刻速率測試(Etch rate): 標准:1.0-2.5 μm /min 測試目的:單位時間內藥水對銅面咬蝕的厚度(咬蝕能力) 測試方法:取2/2OZ銅厚，尺寸為15cm*15cm 120 ℃烘烤30分鐘，稱重為W1，以線速(V)走蝕刻.烘干稱重為W2. 蝕刻速率=（W1-W2）*V/L*0.097972 (L=蝕刻有效長度) 3.2蝕刻點測試(E.P): 標准:內層65-75% 外層60-70% 測試目的:測試蝕刻速度 測試方法:同顯影點測試方式 3.3蝕刻均勻性測試(U): 標准:上噴≧85% 下噴≧90% 測試目的:測試蝕刻段噴灑均勻性. 測試方法:取2/2OZ銅箔基板，尺寸為24〞× 24〞（與蝕刻寬度相當）。用銅厚量測儀在板面上量取N個點，并記好數據（X1-----XN）;以1/1OZ的線速走蝕刻。按之前相對應的點再量測一下銅厚，并做好記錄（Y1-----YN）;將數據相減，取出最大值Max,最小值Min.及所有值的平均值Χ。 均勻性U=1- (Max-Min)/2Χ*100% 3.4蝕刻因子測試(Etch factor): 標准:E.F≧3 測試目的:測試蝕刻藥水咬蝕能力. 測試方