* 光分解反应和正性光刻胶—— 叠氮邻醌类化合物 Wolff 重排反应 提高可溶性 而被溶解。 光照 * 光刻胶——光致抗蚀剂的光刻过程与模印技术 以硅橡胶 PDMS(Polydimethyl Siloxane),以上法得到的图像 为原版制作模板法得到的橡胶印章。 经旋转涂层,再经模板(Mask) 使光刻胶层部分光照,引起交 联。经显影、除去未交联部分, 即可得到一影象图形。如右图: * Patterning of 110 nm lines/spaces (L/S, top) and 70 nm lines with 265 nm pitch (bottom). ???????????????????????????????????????????????????????????? 4. 80 nm L/S using a 100 nm silicon-based top resist and 210 nm bottom layer (0.78 NA dipole illumination). * 11. 有机-高分子电致发光材料 (OLED 及 PLED) 高分子电致发光材料是在1990年由英国剑桥大学
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