相图在晶体生长中的应用.pptVIP

第三节 相图在晶体生长中的应用 相图中与晶体生长有关的一些因素 生长方法的选择 配料问题 晶体完整性 生长速度 热处理工艺 3.1相图中与晶体生长有关的一些因素 1. 反应类型 晶体生长中可能碰上的固态相变，有脱溶、多形性转变、共析(包析)反应、有序无序转变、铁电性顺电性的转变、铁磁性顺磁性的转变、超导电态转变等等。 3. 相图形态 有很多半导体构料如GaP等，相图上虽有同成分点，如图1.38所示，但在通常条件下加热还不到它们的熔点时就会分解挥发，因而如用通常的熔体生长则需在高压气氛下，使分解出的蒸汽回到熔体中去。 2. 溶液生长法 这种方法是将晶体原料(溶质)溶解在溶剂中，形成过饱和溶液，使晶体在这种过饱和溶液中生长。根据溶液的性质又可分为助溶剂法，水溶液法和水热法等等。这里着重讨论助熔剂法。一般助溶剂法生长时温度比其它溶液法高，也可称为高温熔液法。 含有包晶反应的体系，一般可采取助熔剂法生长。图1.39所示出的是SrNb2O4-NaNbO3赝二元系相图。 某些晶体在熔点以下存在固态相变，用熔体生长法生长时得不到质量很好的低温相单晶。但可用助溶剂在相变温度以下生长，得到低温相的单晶。判断助溶剂的实用与否，应看低温相存在的温度范围是否足够宽。图1.40示出BaO—TiO2相图。 有些化合物虽然有同成分点，且在相图上不存在固溶区，在理论上可以同成分配料，但实际生